LED行業目前大規模生產的藍綠光LED芯片,通常是使用金屬有機化學氣相沉積機臺(MOCVD)在藍寶石襯底上生長GaN層形成GaN外延片, J430BNRB1并通過復雜的芯片制程將外延片加工成單顆LED芯片。因藍寶石襯底是非導電材料,一般都會采用干法蝕刻技術在GaN面同時制作P、N雙電極,即雙電極同側結構。此結構因出光面不同又分為正裝結構和倒裝結構。正裝結構從GaN面(正面)出光,而倒裝結構從藍寶石面(背面)出光。

   本節重點講述正裝芯片結構,正裝芯片有多種分類方式,可以按照發光顏色、芯片功率、應用范圍等進行分類。為更好闡述芯片結構,本書根據芯片功率將正裝芯片分為小功率芯片、中功率芯片、大功率芯片三類。一般地,按功率分類可以參考表⒋2。(目前LED

行業對3種功率芯片并沒有嚴格定義,下表僅供參考。)