倒裝芯片的實質是在傳統正裝工藝的基礎上,將芯片的出光區與電極區不設計在同一個平面,此時電極區面朝向封裝燈杯底部進行貼裝,JCY0200出光區為藍寶石襯底面,如果對于薄膜倒裝芯片,則出光面為ll-GaN面。這也可以省掉焊線這一工序,但是對固晶這段工藝的精度要求相對較高。

   倒裝芯片結構與正裝芯片結構的對比如圖⒋31所示。

   為適應LED芯片的應用,倒裝芯片制造過程中的倒裝技術也在不斷進化改善,芯片的電極結構也有大幅度的變化,其關鍵技術特點如下P1]:

   ①P,N Pad在爆點采用了大面積多層加厚金屬電極,簡單來講芯片正面只可以看到兩大塊分割開的P,N爆線用電極。

   ②采用了微電子制造領域中的雙層布線技術。

   ③雙層布線電極之間采用介質隔離技術。