還有研究者將LED側壁濕法腐蝕后得到粗化的效果提高了光提取效率。C,F.un等人u釗用汞燈和KoH溶液對InGaN/GaN MQW LED進行光電化學濕法蝕刻, FM24C128在少GaN和⒈GaN的中間的InGaN/GaN MQW層的側壁在PEC中被蝕刻,橫向蝕刻速率是42u四h,用PEC濕法蝕刻側壁、橫向蝕刻、背面蝕刻的樣品比傳統樣品的出光功率分別高2,⒄倍、5.Qz+倍和1,73倍。光功率會提高是因為在MEsA活性區邊形成了三角狀的空氣孔,在MESA側壁形成晶粒狀粗化表面和納米量級的三角孔(如圖5-32所示),光被粗化的側壁散射從而增強了光提取效率。                 ^

   總之,通過側腐蝕工藝改變芯片形狀和去除激光切割后的吸光殘留物是業界常用的工是芯片制造工藝中提高光提取效率的重要技術之一。