在傳統透明導電層上引入其他透光或導光的具有紋理化圖形的材料,或者直FM24W256-G接用具有紋理化圖形的其他透明導電層代替傳統的材料。此類型最常見的是直接用納米結構的ITo作為透明導電層或者用摻Ga氧化鋅(Ga~dopping ZnO,GZo)或者摻Al氧化鋅(Al刂oppingZnO,AZo)作為透明導電層。

   H.Chh等田]報道了一種新奇且可以量產的ITo納米柱作為InGaN/GaN LED的全方位透明導電層。在N2環境中用傾斜的電子束蒸鍍的納米柱具有高的光透過性,在450~⒛OIlm范圍內穿透率大于⒛%。如圖5-41所示為納米柱ITO結構LED和其與無納米柱LED的對比曲線,從圖中可知具有此納米柱結構的LED比傳統LED封裝后在350mA下光功率提高35.1%,電壓幾乎一致。且納米柱的厚度加厚,還能進一步提高光提取效率。