為了使FET工作， MR-75004必須在各電極上加電壓。對于N型溝道，結型及耗盡型，漏極D對源極S的電位為正，G對S的

電位為負，D、G對S的電位均為正。對于P型溝道，加上與N型溝道時極性相反的電壓。此外，耗盡型的情況，有時N型溝道、P型溝道都使G、S成為同電位使用。

   FET的用途

   晶體管的輸入阻抗大致為幾十kQ，而FET的輸入阻抗則為幾

Mfl以上。因此，FET具有輸入阻抗非常高的特征，用于需要高輸入阻抗的測量儀器或電容式話筒等輸入部分的放大電路中。由于柵壓的作用，FET還具有導通狀態或截止狀態的開關作用，因此用于計算機的邏輯電路中。

   場效應晶體管的主要參數

   (1)飽和漏電流IDSS

   當柵源間電壓為零時，漏極電流的飽和值稱為飽和漏電流。

   (2)柵源截止電壓UGS

   使漏電流接近于零時，此時柵極上所加的偏壓就稱為柵源截止電壓，此參數是對耗盡型而言。