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提高開口率技術

發布時間:2016/10/18 22:24:36 訪問次數:1919

   開口率指TFT型LCD顯示屏光透過部分和不透過部分之比,開口率越大,亮度越高。EL1508CLZ影響開口率的主要因素是柵和源總線寬度、T叫尺寸、上下基板對盒精度、存儲電容尺寸及黑矩陣尺寸等。為了提高開口率,可采取以下辦法:將黑白矩陣和彩膜都做在TFT基板上,此辦法避免了對盒精度引起的開口率下降,但成品率不高,成本也相應加大;柵源總線采用集成電路微加工技術,⒛世紀9O年代,TⅢ矩陣微加工約10um,開口率為35%,微加工達到5um時,開口率為SO%;采用自對準光刻技術,主要是消除柵極和源漏極重迭形成的寄生電容,用自對準光刻技術,把柵電極作為掩膜板,光刻n+a一⒊和源漏電極, 以減少柵源電極之間的重迭;改善柵源材料,為了增加開口率,應盡量將`總線寬度取小,但要考慮由于J總線電阻過大,輸入信號延遲,驅動不充分,從而降低對比度的問題,通常采用⒍或MoTa金屬包~ql的辦法,這樣就能得到低電阻總線。

   開口率指TFT型LCD顯示屏光透過部分和不透過部分之比,開口率越大,亮度越高。EL1508CLZ影響開口率的主要因素是柵和源總線寬度、T叫尺寸、上下基板對盒精度、存儲電容尺寸及黑矩陣尺寸等。為了提高開口率,可采取以下辦法:將黑白矩陣和彩膜都做在TFT基板上,此辦法避免了對盒精度引起的開口率下降,但成品率不高,成本也相應加大;柵源總線采用集成電路微加工技術,⒛世紀9O年代,TⅢ矩陣微加工約10um,開口率為35%,微加工達到5um時,開口率為SO%;采用自對準光刻技術,主要是消除柵極和源漏極重迭形成的寄生電容,用自對準光刻技術,把柵電極作為掩膜板,光刻n+a一⒊和源漏電極, 以減少柵源電極之間的重迭;改善柵源材料,為了增加開口率,應盡量將`總線寬度取小,但要考慮由于J總線電阻過大,輸入信號延遲,驅動不充分,從而降低對比度的問題,通常采用⒍或MoTa金屬包~ql的辦法,這樣就能得到低電阻總線。

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