一種量子阱LED的結構如圖⒋8所示,在圖形化的n型藍寶石襯底上低溫外延生長n型GaN過渡層,M5230L該層的作用是為其上生長的半導體材料提供低缺陷的高質量晶體結構;再在其上生長量子阱諸層。量子阱由勢阱和勢壘共同組成,如圖4J所示。僅稱生長一對勢阱和勢壘的為單量子阱(sing⒗Quantum wcll,sQW),生長多對且勢壘厚度遠大于勢阱厚度的為多量子阱(Multi―Quantum ure11,MQW);若勢壘厚度與勢阱厚度相似,則稱之為超晶格結構;再在QW層上生長頂層,其作用與DH結構相同,金屬電極的結構與前述LED一致。發光區域集中在QW層區。

   圖⒋8 常用的藍綠光多量子阱LED的結構示意圖

   量子阱結構LED是在DH結構基礎之上、得益于諸如MOCVD(金屬有機化合物化學氣相淀積)及MBE(分子束外延)等精密外延技術的進步而發展起來的新型發光器件。sQW結構與DH結構相同,僅當p型層的厚度小于德布洛意(De Broglic)波長揚(楊勘/p,此處的`為電子的動量,通常揚約為幾十納米量級)時,導帶與價帶的能帶不再連續,分別分裂成一系列的分離能級,如圖⒋10所示。過剩電子將主要分布在導帶E1c能級,過剩空穴主要分布在價帶重空穴能級￡l⒒和輕空穴能級￡1h。勢阱中的電子與空穴碰撞發生輻射復合而發光。