表5.2給出了典型的元素半導體和二元化合物半導體及其在300K時的禁帶寬度。禁帶G16V8L25BHY/VC寬度(帶隙)是半導體一個重要的特征參量,其大小取決于半導體的能帶結構。對于C、si、Gc和Sn元素半導體而言,禁帶寬度隨著原子序數的增加而減小。二元化合物半導體 具有很寬的禁帶寬度范圍,其能帶結構大部分屬于直接躍遷型,因此電光轉換效率高可以作為半導體激光器和發光二極管。具備大的禁帶寬度是制備高溫與大功率半導體器件所必需的條件。禁帶寬度的大小實際上反映了價帶中電子的被束縛強弱程度,是產生本征激發 所需要的最小能量。GaN和siC由于價鍵的極性強,對價電子的束縛較強,因此它們具有較大的禁帶寬度(300K時的禁帶寬度分別為3,39cV和2.99cV),屬于寬帶隙半導體材料(刀P23CV)°

   表51 組成化合物半導體的化學元素