半球形藍寶石襯底的制備流程如圖5-36(a)所示。首先用G24101MKR等離子體化學氣相沉積(PECVD,Plasma Enhanccd Cllc血cal Vapor Dep∞ition)在平整的藍寶石表面沉積一層sNx作為掩膜;然后利用帶有深紫外燈的光刻設備在SiNx薄膜表面制作圖案化的聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)柱形陣列,間距為1um;利用熱回流技術將PMMA間距縮短至05um,并采取反應離子刻蝕的方法在si№薄膜表面形成半球形輪廓;最后在Si№掩膜保護下EP刻蝕藍寶石表面。在圖5ˉ36(b)中,C,T.Chang等人利用上述工藝獲得了直徑為4,3um, 最近間距為0.5um的半球形藍寶石襯底。通過調整PMMA和SiNx薄膜厚度的比例,可以控制獲得圓臺型圖形化襯底,刻蝕深度約為lum。在圖形襯底輪廓的優化上,證實了半球形的圖形襯底對于光提取效率的提升要大于圓臺型的圖形襯底。采用半球形襯底制備的芯片光輸出功率比普通襯底提升約44%,而圓臺型襯底光輸出功率升約為31%。