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熒光體的發光特性

發布時間:2016/11/7 21:18:51 訪問次數:603

   2000年,Uhcda等采用LaN、Eu203和Si3N4為原料,通過固相反應合成Lasi3N5、La0雨uO lsi3N5~O丌、LaEuSi2N302,研究了這類化合物的發光性能和結構特點,發現La0雨uOls洲hOJ的發射光譜為一個峰值波長位于549nm處的寬發射帶。AD8572ARZ而LaEusi2N302中的Eu2+離子在65011m處有一個深紅色發射帶,且LaO滔u01S圮N5~0x與Lasi3N5結構相同。 u等研究了Cc3+、L廣或Na+共摻的Mc2Si5N:(Mc=Ca,⒌,Ba)熒光體的發光特性。由于Cc・的5d→盯躍遷,MFCa,

Si,Ba時,Cc3+激活M2si5N:的熒光體分別在狎0nm,553nm與451nm呈現出寬發射峰。其中,Mc2S壇N:∶CC3+,Ⅱ,(Mc=sr,Ba)呈現Cc・雙發光中心,這是由于Cc3+占據兩個Mc格位。隨Cc・濃度的增加,

吸收與發射強度增加而且發射帶的位置產生了小于10nm的輕微紅移。M叻Si5N:∶Cc,Ⅱ(Na)(Mc=Ca,⒌)在藍光范圍370~45Onm有強的吸收與激發帶。Ba2si5N:∶Cc,h的激發光譜有兩個特殊的寬峰,峰值分別位于250nm和翎5~415nm(見圖5-60)。發射光譜為位于425~⒛0nm之間的三個的寬峰,峰值分別位于繡1,497與56Onm。

       


   2000年,Uhcda等采用LaN、Eu203和Si3N4為原料,通過固相反應合成Lasi3N5、La0雨uO lsi3N5~O丌、LaEuSi2N302,研究了這類化合物的發光性能和結構特點,發現La0雨uOls洲hOJ的發射光譜為一個峰值波長位于549nm處的寬發射帶。AD8572ARZ而LaEusi2N302中的Eu2+離子在65011m處有一個深紅色發射帶,且LaO滔u01S圮N5~0x與Lasi3N5結構相同。 u等研究了Cc3+、L廣或Na+共摻的Mc2Si5N:(Mc=Ca,⒌,Ba)熒光體的發光特性。由于Cc・的5d→盯躍遷,MFCa,

Si,Ba時,Cc3+激活M2si5N:的熒光體分別在狎0nm,553nm與451nm呈現出寬發射峰。其中,Mc2S壇N:∶CC3+,Ⅱ,(Mc=sr,Ba)呈現Cc・雙發光中心,這是由于Cc3+占據兩個Mc格位。隨Cc・濃度的增加,

吸收與發射強度增加而且發射帶的位置產生了小于10nm的輕微紅移。M叻Si5N:∶Cc,Ⅱ(Na)(Mc=Ca,⒌)在藍光范圍370~45Onm有強的吸收與激發帶。Ba2si5N:∶Cc,h的激發光譜有兩個特殊的寬峰,峰值分別位于250nm和翎5~415nm(見圖5-60)。發射光譜為位于425~⒛0nm之間的三個的寬峰,峰值分別位于繡1,497與56Onm。

       


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