快速晶閘管的阻斷耐壓不夠高
發布時間:2017/1/23 20:42:17 訪問次數:480
縱觀我國感應加熱用中頻電源的發展歷史,可把其ICL7662CBD 發展概括為⒛世紀⒛年代的開發研究期、SO年代的成熟應用期、⒛年代的大范圍推廣期和⒛世紀末期的提高性能期。
(1)⒛世紀⒛年代為眾多單位參與的開發研究期。我國應用電力半導體器件研制感應加熱用中頻電源的歷史可追溯到⒛世紀⒛年代,1963年我國第一只晶閘管問世,在19⒛年我國開發出了快速晶閘管,1972年我國許多單位都開始了晶閘管中頻電源的研究。這個時期應用的核心器件為快速晶問管,其控制電路為由眾多分立元器件構成的多塊控制板組成的插件箱結構。同時,由于晶閘管制作工藝技術的限制,決定了主電路結構,快速晶閘管的阻斷耐壓不夠高,由兩只或三只晶閘管串聯構成逆變橋臂,所應用的快速晶閘管的數量為8只或12只,因而晶間管需要采用均壓網絡。由于這個時期晶問管的關斷時間不能太短,所以決定了中頻電源的輸出頻率不高;又因為這個時期快速晶閘管的動態參數dzr/d莎和dj/d莎不是很高,導致了系統中限制dlt/dr及dj/d莎的網絡龐大而復雜。在此階段由于整個晶間管可靠性還很不理想,決定了這一階段中頻電源多是實驗室產品,在工業中應用很少。
(2)⒛世紀⒛年代的成熟應用期。到1980年以后,由于國產晶閘管制造工藝的長足進步及技術引進,其可靠性獲得了很大的進步,因而中頻電源逐步從實驗室進人了工業生產實際應用中。這一時期的晶問管中頻電源逆變橋已逐步從多只快速晶閘管串聯向單只晶
閘管過渡,但輸出工作頻率仍然不是很高,多在2.5kHz以下,要獲得4kHz或8kHz的輸出頻率仍不得不使用倍頻等復雜控制技術。
縱觀我國感應加熱用中頻電源的發展歷史,可把其ICL7662CBD 發展概括為⒛世紀⒛年代的開發研究期、SO年代的成熟應用期、⒛年代的大范圍推廣期和⒛世紀末期的提高性能期。
(1)⒛世紀⒛年代為眾多單位參與的開發研究期。我國應用電力半導體器件研制感應加熱用中頻電源的歷史可追溯到⒛世紀⒛年代,1963年我國第一只晶閘管問世,在19⒛年我國開發出了快速晶閘管,1972年我國許多單位都開始了晶閘管中頻電源的研究。這個時期應用的核心器件為快速晶問管,其控制電路為由眾多分立元器件構成的多塊控制板組成的插件箱結構。同時,由于晶閘管制作工藝技術的限制,決定了主電路結構,快速晶閘管的阻斷耐壓不夠高,由兩只或三只晶閘管串聯構成逆變橋臂,所應用的快速晶閘管的數量為8只或12只,因而晶間管需要采用均壓網絡。由于這個時期晶問管的關斷時間不能太短,所以決定了中頻電源的輸出頻率不高;又因為這個時期快速晶閘管的動態參數dzr/d莎和dj/d莎不是很高,導致了系統中限制dlt/dr及dj/d莎的網絡龐大而復雜。在此階段由于整個晶間管可靠性還很不理想,決定了這一階段中頻電源多是實驗室產品,在工業中應用很少。
(2)⒛世紀⒛年代的成熟應用期。到1980年以后,由于國產晶閘管制造工藝的長足進步及技術引進,其可靠性獲得了很大的進步,因而中頻電源逐步從實驗室進人了工業生產實際應用中。這一時期的晶問管中頻電源逆變橋已逐步從多只快速晶閘管串聯向單只晶
閘管過渡,但輸出工作頻率仍然不是很高,多在2.5kHz以下,要獲得4kHz或8kHz的輸出頻率仍不得不使用倍頻等復雜控制技術。