原則上講，摻雜不同就可以得到對應不同輻射波長響應的探測器。實際上由JRC4558D于大多數有用的雜質在基質半導體的晶格中因溶度低，使得其靈敏度很低。目前用于三個大氣窗口的非本征硅大致上為：第一和第二個窗口可用In、S和Tl摻雜。但S固溶度低，擴散快，可能導致外延層污染。Tl比較合適，但只適用于3.4—4.2 Wn。第三個窗口的摻雜劑主要是Ga，而Mg雜質由于存在一個0.04 eV淺能級，故需要補償才有希望作為長波長探測器材料。

   由于非本征硅光電導材料在低溫下的電阻率高，因而能用來做積累式CCD的襯底。在積累模式MIS結枸中，柵極是加偏壓的，因而多數載流子就沿絕緣體和半導體界而存儲和轉移，這時在柵下形成了局部勢阱。但在電荷轉移的動力學過程上與普通可見光CCD 的反型模式有很大差別。因為在積累式器件中，橫向電場一直延伸到背面電極，而不像反型模式的橫向電場只限制在耗盡區。

   不過也可以用少數載流子工作模式，它由非本征襯底和導電類型相反的外延層組成，非本征襯底中的多子注入外延層成為少子。則類似于MOS場效應管。為了降低外延層和PN結區的復合，引起收集效率降低，柵壓一般要求高些。