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屏蔽的有效性采用屏蔽效能

發布時間:2017/3/12 21:03:31 訪問次數:502

   注意,上述近場和遠場的條件(即λ的大小)是與頻率/有關的。所以又可以說,在較低的頻率范圍內,干擾一般發生在近場。高阻抗電場源的近場主要為電場分量, AT45DB641E-MWHN-Y雨低阻抗磁場源的近場主要為磁場分量。當頻率增高時,干擾趨于遠場,此時電場和磁場分量均不可忽略。對應于三種情況的屏蔽分別稱為電場屏蔽、磁場屏蔽和電磁場屏蔽。靜電屏蔽和恒定磁場的屏蔽分別是電場屏蔽和磁場屏蔽的特例。

   屏蔽的有效性采用屏蔽效能(簡稱屏效)來進行度量,定義為屏蔽前后空間某點的場強之比。對于電路而言,屏效可用屏蔽前后電路某點上的功率、電流和電壓之比來定義,也可以利用由外界耦合到某個關鍵元器件上的干擾與器件所產生的噪聲之比來定義。屏效可用分貝(dB)或奈比(N叩)來計量,dB與Nep之間.



   EMC設計的定量化比定性化具有更多優點,是EMC設計的質變階段。它通過在各個頻段內對各種干擾源、干擾路徑及敏感設備建立一個數學、物理模型;對各種典型元器件及組件進行大量試驗,建立必要的數據庫,在設計的初始階段就將EMC作為控制指標,通過對電路、元器件、結構及工藝等因素的定量控制,來達到提高設備的EMC`l±能的目的。屏蔽是抑制輻射干擾最有效的手段,屏蔽的定量設計也是EMC定量設計的一項重要內容。屏蔽的定量設計必須解決兩個問題:所需屏效的確定和屏蔽性能預測。






   注意,上述近場和遠場的條件(即λ的大小)是與頻率/有關的。所以又可以說,在較低的頻率范圍內,干擾一般發生在近場。高阻抗電場源的近場主要為電場分量, AT45DB641E-MWHN-Y雨低阻抗磁場源的近場主要為磁場分量。當頻率增高時,干擾趨于遠場,此時電場和磁場分量均不可忽略。對應于三種情況的屏蔽分別稱為電場屏蔽、磁場屏蔽和電磁場屏蔽。靜電屏蔽和恒定磁場的屏蔽分別是電場屏蔽和磁場屏蔽的特例。

   屏蔽的有效性采用屏蔽效能(簡稱屏效)來進行度量,定義為屏蔽前后空間某點的場強之比。對于電路而言,屏效可用屏蔽前后電路某點上的功率、電流和電壓之比來定義,也可以利用由外界耦合到某個關鍵元器件上的干擾與器件所產生的噪聲之比來定義。屏效可用分貝(dB)或奈比(N叩)來計量,dB與Nep之間.



   EMC設計的定量化比定性化具有更多優點,是EMC設計的質變階段。它通過在各個頻段內對各種干擾源、干擾路徑及敏感設備建立一個數學、物理模型;對各種典型元器件及組件進行大量試驗,建立必要的數據庫,在設計的初始階段就將EMC作為控制指標,通過對電路、元器件、結構及工藝等因素的定量控制,來達到提高設備的EMC`l±能的目的。屏蔽是抑制輻射干擾最有效的手段,屏蔽的定量設計也是EMC定量設計的一項重要內容。屏蔽的定量設計必須解決兩個問題:所需屏效的確定和屏蔽性能預測。






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