當人們穿著化纖織物時,REF02BPG4人體運動的充電電流為107~106A,總的充電電荷為(0,1~5)×106C,人體對地的電容為150~犭0pF,若以電荷3×106C計,則充電電壓。

   人體的靜電放電模型可用電阻和電容的串聯來模擬,設人體電阻R=500Ω,人體電容C=3O0pF,人體帶靜電電壓〃=10kⅤ,則靜電所含能量=15(mJ)盡管靜電電壓高達10kⅤ,能量僅15111J,對人體沒傷害,但當人手去觸摸設備的金屬部分時會產生火花放電,瞬間的脈沖峰值很高,很可能對電子電路產生干擾或破壞。本例中放電電流的峰值JP≈〃R=⒛(A);放電時間很短,可近似為Td≈Rε=150(ns),這對于MOS電路來說,則將受到致命打擊。

   大多數半導體器件都很容易受靜電放電而損壞,特別是大規模集成電路器件更為脆弱。通常以半導體器仵中引腳與絕緣層被靜電放電擊穿的靜電電壓值來表示半導體器件的易損性。常見的半導體器件對靜電放電的易損值為100~3000Ⅴ。

   表16-1列出了常見器件的易損參考值。