在柵極上加高電平形成可存儲光生電荷的勢阱(Potential We11),勢阱的作用相當于可存儲電荷的“桶”。EZJP0V080GA在柵極上加零電壓或負電壓則形成勢壘(Potential BaⅡer),勢壘可理解為起隔離電荷作用的“隔板”。

   在圖3-51中,當柵極P2加正電壓,柵極P1、P3電壓為零時,P2下面形成勢阱,Pl、P3下面形成勢壘。注入的電荷被限制在勢壘所包圍的勢阱中。

   圖3-51 三相CCD多路傳輸圖解

   按適當的時序改變柵極電壓,可依序將勢阱中的電荷包傳輸至輸出端。以三相CCD多路傳輸器為例。若♀1、♀2、♀3分別為三個柵極電壓,當♀1最高,%=【pR〓0時,電荷趨于流向最高表面電勢,電荷被存儲在第一柵極下面半導體薄層的勢阱中。

   增加%并將♀1減少到零將強迫靠近半導體表面的電荷流入第二柵極下的勢阱中。這一過程在餳和【PR之間重復,可將電荷包再次轉移至第三柵極下的勢阱中。通過CCD末端的擴散區,可使CCD的輸出電荷轉移到源極跟隨器的柵極上。源極跟隨器的柵極必須在下一個信號到達之前復位。

   在轉移過程中,CCD必須提供信號電荷包之間的隔離并有極高的電荷轉移效率。不完全轉移引起的電荷損失將導致信號下降,或者因為被損失的電荷出現在下一個電荷包中而導致串音。