為了解釋線性速率常數與硅表面晶向的關系,有人提出了ˉ個模型。根據這KS0106Q個模型,在二氧化硅中的水分子和⒏/SiO2界面的s―⒊鍵之間能直接發生反應。在這個界面上的所有的硅原子,一部分和上面的氧原子橋聯,一部分和下面的硅原子橋聯,這樣氧化速率與晶向的關系就變成了氧化速率與氧化激活能和反應格點的濃度的關系了。在s悶Q界面上,任何一個時刻,并不是處于不同位置的所有硅原子對氧化反應來說都是等效的,也就是說不是所有硅原子與水分子都能發生反應生成so。

   而反應格點濃度又與在一定時問內參加反應的有效s―s鍵密度有關。由于表面價鍵是有方向性的,它的有效性又和價鍵與表面的夾角有關,夾角越小,就越容易發生反應生成⒊O2,還應考慮到下一層晶面中的原子部分地被上層晶面的相鄰原子所掩蔽。另外,水分子與硅原子相比是很大的,當水分子與某些角度的⒊―⒏鍵反應時,就可能擋住鄰近的⒏―⒏鍵同其他水分子反應。水分子對鄰近水分子的掩蔽作用和其他一些幾何影響叫做空問位阻(stc・rlc Hindrance)。空間位阻是指分子內部基團在空間排布造成的相互排斥作用,它使分子構型、對稱性、反應活性等發生變化,會導致高激活能,而且也使氧化速率的大小依賴于硅表面的取向。對于干氧氧化,也存在位阻現象。