在集成電路制造中,注入離子的能量一般為5~500keV.而注入的叉往往是重離子。這樣的注人情況,進人靶內的離子不僅與靶內的自由電子和束縛電子發生相互作用,而且與靶內原子核發生相互作用。 PA905C6基于這種情況,在1963年,J。ut1d№rd、⒌腕rⅡ和H.E,⒌hot首先確立了注人離子在靶內的分布理論,簡稱LSs理論。該理論認為,人射離子在靶內的能量損失分為兩個彼此獨立的過程,即人射離子與原子核的碰撞(核阻擋過程)和與電子(束縛電子和自由電子)的碰撞(電子阻擋過程),總能量損失為它們的和。因此,為了確定注入離子的濃度(或射程)分布,首先應考慮入射離子與樣品中的原子核和電子發生相互作用而損失能量的過程。

   核碰撞指的是人射離子與靶內原子核之問的相互碰撞。離子與原子核碰撞,離子將能量轉移給靶原子核,這使人射離子發生偏轉,也使很多靶原子核從原來的格點移位。由于人射離子與靶原子的質量一般不同,因此每次碰撞之后,入射離子都可能發生大角度的散射并失去一定的能量;靶原子核也因碰撞而獲得能量,如果獲得的能量大于原子束縛能,就會離開原來所在位置,進人晶格間隙,成為填隙原子核并留下一個空位,形成缺陷。