在溫度低于580℃時淀積的薄膜基本上是非晶態,在高于580℃時淀積的薄膜基本上是多晶態。在5glJ~600℃范圍內淀積的薄膜傾向于〈311〉晶向; ACT4533AYH-T而低溫淀積的非晶態薄膜在900~10O0℃范圍內重新晶化時,晶粒更傾向于〈111〉晶向,而且再結晶時,晶粒的結構與尺寸重復性非常好。另外,以較慢的淀積速率(如580℃時,約51ml/血n;600℃時,約10nη/雨n)直接淀積的非晶薄膜的表面更為平滑,而且這個平滑表面在經歷900~10OO℃退火后仍然保持平整。晶粒的平均粒度隨著薄膜的厚度指數增加。

   在某些特殊場合需要制備大粒度多晶硅時,可用連續激光(或其他輻射束)熔化小粒度的多晶硅,再結晶,就生成大粒度的多晶硅,晶粒粒度增大,載流子的遷移率升高,再結晶重摻雜薄膜中載流子的遷移率能增加約一倍。對于輕摻雜薄膜,利用輻射束再結晶來增加晶粒體積,也會顯著降低電阻率。

   在集成電路制造中實際應用的主要是摻雜多晶硅薄膜,特別是重摻雜多晶硅薄膜。多晶硅薄膜的摻雜可以在C`0淀積過程中直接進行氣相摻雜,也可以在薄膜淀積完成之后通過離子注人或擴散進行摻雜.