由于X射線具有很強的穿透能力,深紫外波段的光刻膠對X射線的吸收率很低,只有少SC250-030數人射的X射線能對光化學反應做貢獻,通常深紫外曝光的光刻膠在X射線波段靈敏度都非常低,其曝光效率要下降1~2個數量級。因此,提高X射線光刻膠的靈敏度是光刻膠發展的重要方向。提高X射線光刻膠靈敏度的主要方法是:在光刻膠合成時添加在特定波長范圍內具有高吸收峰的元素,從而增強光化學反應。具體地說,針對特定的X射線波長,可以通過在光刻膠中摻人特定的雜質來大幅度提高光刻膠的靈敏度。如在電子抗蝕劑中加人銫、鉈等,能增加抗蝕劑對X射線的吸收能力,使之可以作為X射線抗蝕劑,如PMMA。

    光學分辨率增強技術

    隨著半導體產業發展的不斷加速,迫使芯片制造者在追求器件更高性能的同時又要追求加丁成本的經濟性,從而竭力與摩爾定律保持一致的步伐。這就使廣泛運用的投影光學光刻技術拒絕放棄任何可能的機會,以頑強的生命力不斷地突破其先前認定的極限,達到最新前沿。其中,使投影光學光刻青春永駐的驅動力則是各種光學分辨率增強技術的不斷突破。光學分辨率增強技術理論的提出和應用突破了根據傳統光學理論所預言的投影光學光刻分辨極限的限制,可充分挖掘大量現有投影曝光系統及發展中的深紫外曝光系統的潛力。從廣義上講,光學分辨率增強技術包括移相掩膜技術(phase曲亻t mask)、離軸照明技術(o肛a妊s iⅡLllainaton)、光學鄰近效應校正技術(op。cd llro姑n1i1ycorrecton)以及其他一切在不增大數值孔徑和不縮短曝光波長的前提下,通過改變光波波前,來提高光刻分辨率,增大焦深和提高光刻圖形質量的技術和方法。 F面就幾種常見的光學分辨率增強技術進行簡單的介紹。