MERIE是在傳統的RIE中加上永久磁鐵或線圈,產生與晶片平行的磁場,此磁場與電場垂直。 ICE2A765P2電子在該磁場作用下將以螺旋方式運動,如此一來,可避免電子與腔壁發生碰撞,同時增加電子與分子碰撞的機會并產生較高密度的等離子體。然而,因為磁場的存在,將使離子與電子的偏折方向不同而分離,造成不均勻性及天線效應的產生,所以磁場常設計為旋轉磁場。ˇⅡ玉IE的操作壓力與RIE相似,在1~100Pa之間,所以也不適合用于小于0.5Iull以下線寬的刻蝕。

   電子回旋共振式等離子體刻蝕機(ECR)ECR是利用微波及外加磁場來產生高密度等離子體的。當頻率ωc等于所加的微波頻率時,外加電場與電子能量發生共振耦合,因而產生很高的離子化程度(可大于1%,RIE約為106)。較常使用的微波頻率為2,娟GHz,所需的磁場應為O.0875T。ECR的結構如圖117所示,微波由微波導管穿過由石英或A1203制成的窗口進入等離子體產生腔中,另外磁場隨著與磁場線圈距離的增大而縮小。電子便隨著變化的磁場向晶片運動,正離子則是靠濃度梯度向晶片擴散的。通常在晶片上也會施加一個RF或直流偏壓用來加速離子,提供離子撞擊晶片的能量,借此達到非等向性刻蝕的效果。

   ECR最大的限制在于其所能使用的面積。因為激發等離子體的頻率為2.45GHz,波長只有10cnl=右,因此有效的晶片直徑大約為6英寸。