雙穩定態電阻開關效應被發現存在于鈣鈦礦氧化物如SrTio3,SrZrC)3(SZC)),PCMo,PZTO)、TA31164FN過渡金屬氧化物(如NK),C曠O,W-O,TiON,Zr-O,F⒍())、同體電解質【・l叫甚至聚合物中。開關機制(而不是結構相變)主要基于導電纖維的生長和破裂L13Ⅱ1],這與金屬離子、O離子/空穴、去氧化、電子俘獲/反俘獲(m。tt過渡)、高場介電擊穿和熱效 應有關。RRAM單元主要包括一個選擇晶體管和一個MIM(金屬-絕緣體-金屬)電阻作為電阻開關材料(見圖3.25)。RRAM看上去比較有前景緣于其可擴展性、低電壓操作以及和BEOL的兼容性(特別是以基于Ctl O和W-o的單元)。目前,RRAM的耐久性在103~105之間。RRAM的工藝流程如圖3.26所示。