為了形成高密度等離子體,需要有激發混合氣體的射頻(RF)源,并直接使高密度等離子體到達硅片表面。NCV8403ASTT1G在HDP CVD反應腔中(見圖4.14)[1彐,主要是由電感耦合等離子體反應器(ICP)來產生并維持高密度的等離子體。當射頻電流通過綬圈(coil)時會產生一個交流磁場,這個交流磁場經由感應耦合即產生隨時間變化的電場,如圖4,15所示。電感耦合型電場能加速電子并能形成離子化碰撞。由于感應電場的方向是回旋型的,囚此電子也就往回旋方向加速,使得電子閃回旋而能夠運動很長的距離而不會碰到反應腔內壁或電極,這樣就能在低壓狀態(幾個mT)下制造出高密度的等離子體。

   為了實現HDRCVD的bottom up生長,首先要給反應腔中的高能離子定方向,所以沉積過程中在硅片上施加RF偏壓,推動高能離子脫離等離子體而直接接觸到硅片表面,同時偏壓也用來控制離子的轟擊能量,即通過控制物理轟擊控制CVD沉積中溝槽開口的大小。在HDP CVD反應腔中,等離子體離子密度可達10n~1012/cm3(2~10mT)。由于如此高的等離子體密度加上硅片偏壓產生的方向,使HDP CVD可以填充深寬比為4:1甚至更高的間隙。