除了前面己經涉及的跨導glll、開啟電壓E/T、開通時間兔n及關斷時間兔f之外,電力MOsFET還有以下主要參數。MIC2525-1BM

   1.漏源擊穿電壓BUDs

   漏源擊穿電壓B%s決定了電力MOsFET的最高工作電壓,使用時,應注意結溫的影響,結溫每升高100℃,BI/Ds就增加10%。這與雙極型器件sCR及GTR等隨結溫升高而耐壓降低的特性恰好相反。

   2。漏極連續電流圮和漏極峰值電流圮M

   在器件內部溫度不超過最高工作溫度時,電力MOsFET允許通過的最大漏極連續電流和脈沖電流稱為漏極連續電流JD和漏極峰值電流JDM。它們是電力MOsFET的電流額定參數。

   3.柵源擊穿電壓BuGs

   造成柵源極之間絕緣層被擊穿的電壓,稱為“柵―源”擊穿電壓B%s。在“柵極一源極”之間的絕緣層很薄,%s>20V就將發生絕緣層擊穿。

   4.極間電容

   電力MOsFET的三個電極之間分別存在極間電容%卜C協和C祗。一般生產廠家提供的是“漏極一源極”短路時的輸入電容咣s、共源極輸出電容C祆s和反饋電容Gss。它們之間有以下關系: 電力MOSFET不存在二次擊穿問題,這是它的一個優點。 “漏一源”間的耐壓、漏極最大允許電流和最大耗散功率決定了電力MOSFET的安全工作區。在實際使用中,應注意留有適當的裕量。