MAX764基本應用電路
發布時間:2018/2/3 20:49:02 訪問次數:828
MAX764的基本應用電路如圖4.123所示。電路輸入電壓為3~16V,輸出電壓為-5V⒚5011aA。外接狎uH的電感,330uF的輸出濾波電容。 TAS5186ADDVR基本工作原理如下:內部MOsFET導通時,E中流過電流,蓄積能量;內部MOsFET截止時,吸收能量,z中的能量經肖特基二極管ˇD整流,對G充電而蓄積能量,供給負載。內部電路采用PFM調制方式,內部電壓比較器檢測到偏離輸出電壓規定值時,使內部MOsFET導通。MOsFET以導通時間16,截止時間23I】s重復工作,到下次偏離輸出電壓規定值時再導通,不偏離規定值時截止。輸出電壓。嘰由外部設定,R1=150⑽,凡由R2=Rl(%/IfREF)確定。選用外接元件時,要注意電感線圈的最大額定電流和肖特基二極管的最大額電流。MAXT“的最大負載電流為乃OlmA,這時線圈和二極管的最大負載電流需要75ClmA。電感線圈的電感值要求不太嚴格,選用范圍為22~68uH,但線圈直流電阻要低于100mΩ。輸出電壓中高頻紋波電壓的振幅由線圈電流的變化和輸出電容的等效直流電阻的乘積決定,在⒛0mA電流變化、輸出電壓紋波峰-峰值為50mV的情況下,必須選用等效電阻在0.25Ω以下的有機半導體電容或鉭電容。
MAX764的基本應用電路如圖4.123所示。電路輸入電壓為3~16V,輸出電壓為-5V⒚5011aA。外接狎uH的電感,330uF的輸出濾波電容。 TAS5186ADDVR基本工作原理如下:內部MOsFET導通時,E中流過電流,蓄積能量;內部MOsFET截止時,吸收能量,z中的能量經肖特基二極管ˇD整流,對G充電而蓄積能量,供給負載。內部電路采用PFM調制方式,內部電壓比較器檢測到偏離輸出電壓規定值時,使內部MOsFET導通。MOsFET以導通時間16,截止時間23I】s重復工作,到下次偏離輸出電壓規定值時再導通,不偏離規定值時截止。輸出電壓。嘰由外部設定,R1=150⑽,凡由R2=Rl(%/IfREF)確定。選用外接元件時,要注意電感線圈的最大額定電流和肖特基二極管的最大額電流。MAXT“的最大負載電流為乃OlmA,這時線圈和二極管的最大負載電流需要75ClmA。電感線圈的電感值要求不太嚴格,選用范圍為22~68uH,但線圈直流電阻要低于100mΩ。輸出電壓中高頻紋波電壓的振幅由線圈電流的變化和輸出電容的等效直流電阻的乘積決定,在⒛0mA電流變化、輸出電壓紋波峰-峰值為50mV的情況下,必須選用等效電阻在0.25Ω以下的有機半導體電容或鉭電容。
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