介質材料內部的微孑L或微隙縫的產生，是由于制造工藝不良造成的。例如；由于燒結工藝不良， HZICSPW71042350G 特導致凝聚相與介質主晶相膨脹系數不同，在冷卻過程中就造成微裂縫或小空洞。或者由于瓷料固有燒結溫度與銀的燒結溫度不能完善地配合，使瓷介質不致密。

   銀離子還通過介質表面進行遷移，其現象首先是損耗角正切值增加，然后由于電容器表面上的漏電流引起絕緣電阻下降，最終因銀離子遷移而導致短路。銀離子遷移與產品的結構有關，例如，在潮熱負荷下，微調瓷介電容器試驗幾小時后就能明顯地觀察到銀離子遷移現象。銀離子遷移的結果，使得正極銀面嚴重破壞，銀層被分割成許多小銀塊。這樣，中間隔著具有半導體性質的氧化銀，使得陶瓷電容器的等效串聯電阻增加，介質損耗角正切值大大增加，甚至氧化銀會把兩電極連接起來。銀離子的嚴重遷移，還使得電極的有效面積逐漸減小，從而使電容量逐漸減小。

   在高濕度環境條件下，云母電容器也會產生銀離子遷移現象。因為壓塑型云母電容器屬于半密封型的結構，水分能夠通過塑料外殼或外殼與引線間因熱脹冷縮系數不同產生的縫隙進入電容器內部，在電場和水的共同作用下，促使云母電容器電極的銀產生遷移，從而在與陰極相連的邊界上形成銀，產生樹枝狀銀的晶體，并逐漸向陽極擴展。而與陽極相連的邊界上，形成黑色的氧化銀。如果云母片存在裂紋或缺陷，則銀離子遷移會將這些裂紋或縫隙填滿，導致介質通路而使電容器擊穿。銀離子的遷移使得其電性能嚴重惡化，如電容量顯著下降、介質損耗角正切值顯著增加和絕緣電阻下降。銀離子遷移還可能導致陽極銅箔引出線嚴重腐蝕，甚至開路。云母電容器的銀離子遷移延長而加劇。

   此外，銀離子遷移還會使陶瓷電容器電介質老化，擊穿電場強度下降，導致擊穿失放。而且銀電極的低頻獨石電容器比瓷介電容器銀離子遷移嚴重得多。