極紫外線( EUV)是預計的具有更小波長的另一種曝光源。它的波長為13.5 nm，有町能用于18—24 nm范圍的圖像。P89LPC921FDH變成等離子體的錫蒸氣是光源成分。ASML使用兩種力+法。在一個方案中稱為激光等離子體( LPP)，錫液滴通過高能激光流產生EUV光。在另一個方案巾被稱為激光輔助放電等離子體( LDP)，一個電荷穿過錫蒸氣產生EUV光子7。由于玻璃吸收EUV光子，曝光系統采用極平坦的鏡面來對準光束。由于空氣也吸收光子，整個過程發生在一個真空環境中。然而，系統的生產速率不滿足生產要求。因此，最初的使用將在關鍵層采用與浸沒式光刻機混合匹配的方式。

   對更高分辨率曝光源的追求必然使人們想到兩種非光學光源：X射線和電子束( e-beam)、、X射線是高能量光量子，它的波長只有4—50 A㈦1。因為衍射作用很小，這個波段可以將圖形尺寸做到0.1ILm的水平。X射線光刻機使用1:1的掩模版（見圖10.5）。由于更短的曝光時間，通常有更高的產能。在光刻膠中的反射和散射現彖可降低到最小，幾乎沒有景深的問題。X射線曝光的晶圓只有很少量的缺陷來自附著在掩模版上的塵埃和有機物，因為X射線可以穿過它們。

   在實際生產中，X射線光刻機遇到_『很多困難。一個主要的問題是用于阻擋X射線的掩模版的開發。因為X射線會穿透傳統的玻璃和鍍鉻的掩模版，需要開發一種要求用金來做阻擋層的工藝，或者其他一些可以阻擋高能X射線的材料（見9. 10節）。