近耦合噴淋反應室(C1ose Coup1ed showe血ead,CCs):圖⒈9為德國愛思強(AIXTRON)公司(原英國劍橋的Thomas swan公司,后被AIXTRON公司收購)的立式近耦合噴淋反應室示意圖。其特點是進氣系統為雙層結構的噴淋頭:RA13H1317M一層通Mo源,另一層通Ⅴ族源。

   在噴淋頭最靠近托盤的地方有一層水道,通恒溫水對噴淋頭進行溫度調節。通過噴淋頭密集而又細小的噴孔,Mo源和Ⅴ族源分別被噴向反應腔內相距不遠(約10~20mm[l")的托盤,在襯底上進行外延生長。該反應腔技術特點為:(1)距離小,一方面有利于抑制基

座上方的渦流形成,但另一方面會使噴淋頭表面受熱輻射而產生高溫沉積;(2)噴淋頭噴孔細小密集(噴孔內徑0.6mm,密度達到15.5個/cm2),使分別從兩組相間的噴孔注入的Ⅲ族源和Ⅴ族源,在經過短距離到達襯底前也能充分混合,保障了反應氣體濃度基本相同,

并均勻分配到外延上方,從而得到均勻的外延層;(3)托盤采用三組電阻加熱;基座中速旋轉,旋轉速率通常為50~⒛0rpm。由于噴口與熱托盤之間的距離近,反應過程中容易在噴淋頭表面形成沉積物,使得有雜質殘留并使溫場漂移,需要每長一爐后打開反應腔進行清理去除殘留,降低了設備使用效率。