該產品在構架設計上存在一個比較明顯的EMC缺陷。這個缺陷在哪里,通過對該EDB4064B2PD-6D-F產品進行EsD干擾路徑分析就可以看出。圖2.89就是靜電放電點在金屬外殼上的ESD共模干擾路徑分析圖,其中有兩條ESD共模干擾電流路徑,第一條用粗箭頭表示(電流JcMl所在的路徑);第二條用細箭頭線表示(電流rc衄所在的路徑)。

    圖2B9 靜電放電點在金屬外殼上時,ESD共模十擾路徑分析圖

    圖2.89中第二條路徑(電流Jc衄所在路徑)是經過PCB1、PCB1與PCB2之間的互連排線、PCB及電纜的ESD共模干擾電流。這是一條“非期望”的EsD電流干擾路徑。這條路徑中的EsD干擾電流越大,就意味著產品受到的干擾就越大。為了幫助理解,可以做如下解釋。

    圖2.⒛是圖2。⒆的簡化等效電路圖(分析共模電流千擾路徑時,可暫時忽略ESD共模干擾電流路徑上引線產生的寄生電感、電阻等參數)c

    CPl是產品金屬外殼與PCB1地平面之間的寄生電容(產品金屬外殼與PCB1中的元器件、印制線、地平面、電源平面都會產生寄生電容,其中產品金屬外殼與地平面、電源平面 的寄生電容最大),如10pF,CP3是產品電纜線束與參考接地板之間的寄生電容,測試中電纜線束放置在參考接地平面上,并且離參考接地平面笏mm,此電容可以估算為ω pF/m(⒙01“Os標準規定電纜放置要求),本案例中電纜線束為2m,cP3可以估算為120pF。CP4為產品金屬外殼與參考接地板之間的寄生電容,測試中該產品放置在參考接地平面上,之間用相對介電常數小于1.4的絕緣物隔離,絕緣物的高度為乃mm,此電容約為30pF(注:平面間耦合電容估算參考本章案例13)。