排列在前二甲的干法刻蝕機廠商包括泛林半導體(I'am rescarch,I'AM),東京電子(Tokyo Electror,TEI')和應用材料公司

(Applicd Materials,AMAT)。事實上,盡管CM()S的特征尺寸在過去的十年閘(2001~2010年)已經從0,13um縮減到45nm,這一排序沒有改變過。HAT2192WP-EL-E每個廠商都開發出各自不同的硬件體系,用來滿足對片內和片間均勻性控制的苛刻需求。

   面對新材料和不斷縮小器件尺寸的挑戰,在2007年,I'am用獲得專利的雙頻率技術, 為45nmェ藝節點的介質刻蝕開發出了多頻率功率等離子刻蝕機2300Exelan Flex45。多加的頻率用于底部電極。多頻設計已經被證明增強了I藝的靈活性,并能夠在同一腔體內

刻蝕不同的材料。除r增加了抽氣速率,從物理和化學反應機理的觀點出發,將⒛04年在 23O0Exclan Flex DD首次使用的雙區靜電卡盤和雙氣流饋人技術以及第二調渚氣體和先進的邊緣環等技術整合Lam Research在1992年就獲得了TCP技術的專利,到⒛10年,該技術在32nm及以下I藝節點中一直扮演著重要的角色。⒛04年推出了用于65nm的23∞Ki四系列,它除強了泵的能力外,還增加了可調諧靜電卡盤(EKl),并能夠在晶圓中心與邊緣實行獨立的溫度控制。這種可調諧的功能可以集成到一步步控制晶圓溫度,增大了△藝窗口,卻不會對等離子發生擾動。晶圓刻蝕完成后,執行無晶圓自動清洗(WAC)和先進的腔室條件控制(AC3)操作。在⒛08年,Ki四3x,Kivo系列的第三代產品,開始將多lx靜電卡盤溫度控制和邊緣氣流調整方案用于32nm丁藝節點,這些與增強反應器對稱的措施一起使得CD

均勻性達到了hm。此外,先進的預涂層反應腔清洗專利技術,也確保了每一片晶圓刻蝕的高度重復性。