共模扼流圈Lc由兩個繞在同一個高磁導率磁芯上的繞組構成,它們的結構使差模電流產生的磁場相互抵消,但對共模電流則呈現大的感抗值, KDZTR36B故可取得良好的濾波效果。這種結構可以以較小體積獲得較大的電感值,并且不用擔心由于工作電流導致飽和。Lc的電感量一般為1~⒛0mH之間,典型使用范圍為10~100mH之間。每個繞組的電感可以衰減相對于地的共模干擾電流,但只有漏電感才能衰減差模干擾電流。濾波器差模特性在很大程度上受線圈的結構影響,因為線圈的結構決定了漏電感。較大的漏電感能夠提供較大的差模衰減,但付出的代價是磁芯的飽和電流降低。

   差模電容器Cd、C趁、C詔只衰減差模干擾電流,它們的電容值可以較大。注意 源和負載的阻抗可能很低,以致于該電容器起不到作用。因此根據具體情況,可以 省略一只電容器。例如,一只0.1uF的電容器在150kHz的頻率下,阻抗為10Ω。 而對于一個數百瓦的電源,從Cc看到的差模源阻抗可能遠低于這個值,因此在最

需要這個電容濾波的低頻段,這個C婦的電容值幾乎沒有效果,這時Cx3可取消。 在許多場合,典型結構的濾波器不能提供滿意的衰減效果。例如,必須滿足最 嚴格發射限制的大功率開關電源,或有較大的共模干擾耦合的場合,以及需要較高 的輸人瞬態抗擾度的場合。基本濾波器可以通過一些方式來擴展其功能。

   附加的差模扼流圈Ld、L濁,是在L和N線上獨立的線圈,它們之間互相沒有 影響,因此對差模信號呈現更高的阻抗,它們與Cx配合在一起可提供更大的衰減。 由于要保證它們在滿額工作電流的情況下不發生磁飽和,對于一定的電感共模電容器Cu和C、衰減共模干擾,當C詔很大時,這兩個電容器對差模干擾沒有太大的影響。Cy電容器的有效性在很大程度上由設備的共模源阻抗決定。共模源阻抗一般是耦合到地的寄生電容的函數,它由電路的結構方式和電源變壓器一、二次側間的分布電容等決定,一般會超過1000pF。由Cy的分流作用提供的共模衰減一般不會超過⒛dB。

   共模扼流圈是更為有效的共模抑制器件,當Cy受到嚴格限制時,可能需要一個以上的共模扼流圈組合(如圖8-6所示的Ld、Lc2)。