半橋是由兩只整流二極管封裝為一體構成的
發布時間:2019/4/6 19:33:00 訪問次數:3692
半橋:半橋是由兩只整流二極管封裝為一體構成的,有三端和四端之分,其內部電路分別如圖269(Θ、lb)所示。由圖顯而易見,用一只半橋可以組成全波整流電路,用兩只半橋可以組成橋式全波整流電路。常用的半橋有1/2QL系列。
二極管的質量判別:判別普通=極管的質量時,通常首先檢測其單向導電性能。一般說來, 鍺二極管的正向電阻值為1kΩ左右,反向電阻值為300kΩ左右。硅二極管的正向電阻值為5kΩ左 右,反I司電阻值為無窮大。正向電阻越小越好,反向電阻越大越好。正、反向電陽值相左越懸殊, 說明二極管的單向導電性能越好。若測得二極管的正、反向電阻值均接近于0或阻值很小,說明二極管內部已擊穿短路或漏電損壞;若測得二極管的正、反向電阻值均為無窮大,則說明二極 管內部已開路損壞。對整流工極管,除了確定其單向導電性能完好以外,還齋檢測工極管的反向 擊穿電壓。檢測工極管的反向擊穿電壓可以用晶體管直流參數測試表來測量。具體方法是:將測 試表的“NPN/PNP”選擇鍵置為NPN狀態,再將被測工極管的正極插入測試表的“C”插孔,負 極插入測試表的“E”插孔,然后按下鍵,測試表即可指示出工極管的反向擊穿電壓值。高壓硅堆:高壓硅堆是由多只硅整流管串聯組成的耐高壓整流器件,其最高工作反壓在幾千伏至幾萬伏之間。主要用于電子儀器、電視或雷達中。高壓硅堆的外形。常用的高壓硅堆有2DGL,2CGL等系列。
整流二極管的合理選用:選用整流二極管時,主要應考慮其最大整流電流、最大反向工作電壓、截止頻率及反向恢復時間等參數。普通串聯穩壓電源電路中使用的整流二極管,對截止頻率及反向恢復時間的要求不高,只要選擇最大整流電流和最大反向工作電壓兩項參數滿足電路要求的整流二極管即可。例如,可選擇1N系列和2CZ系列等。開關穩壓電源電路或脈沖整流電路中使用的整流二極管,應選用截止頻率高、反向恢復時問短的整流=極管。例如,可選擇RU系列和EU系列等。當買不到所選型號的整流二極管時,|J用其他型號的整流二極管代替,但前提是:最大整流電流和最大反向工作電壓必須高于被代替的整流=極管。
半橋:半橋是由兩只整流二極管封裝為一體構成的,有三端和四端之分,其內部電路分別如圖269(Θ、lb)所示。由圖顯而易見,用一只半橋可以組成全波整流電路,用兩只半橋可以組成橋式全波整流電路。常用的半橋有1/2QL系列。
二極管的質量判別:判別普通=極管的質量時,通常首先檢測其單向導電性能。一般說來, 鍺二極管的正向電阻值為1kΩ左右,反向電阻值為300kΩ左右。硅二極管的正向電阻值為5kΩ左 右,反I司電阻值為無窮大。正向電阻越小越好,反向電阻越大越好。正、反向電陽值相左越懸殊, 說明二極管的單向導電性能越好。若測得二極管的正、反向電阻值均接近于0或阻值很小,說明二極管內部已擊穿短路或漏電損壞;若測得二極管的正、反向電阻值均為無窮大,則說明二極 管內部已開路損壞。對整流工極管,除了確定其單向導電性能完好以外,還齋檢測工極管的反向 擊穿電壓。檢測工極管的反向擊穿電壓可以用晶體管直流參數測試表來測量。具體方法是:將測 試表的“NPN/PNP”選擇鍵置為NPN狀態,再將被測工極管的正極插入測試表的“C”插孔,負 極插入測試表的“E”插孔,然后按下鍵,測試表即可指示出工極管的反向擊穿電壓值。高壓硅堆:高壓硅堆是由多只硅整流管串聯組成的耐高壓整流器件,其最高工作反壓在幾千伏至幾萬伏之間。主要用于電子儀器、電視或雷達中。高壓硅堆的外形。常用的高壓硅堆有2DGL,2CGL等系列。
整流二極管的合理選用:選用整流二極管時,主要應考慮其最大整流電流、最大反向工作電壓、截止頻率及反向恢復時間等參數。普通串聯穩壓電源電路中使用的整流二極管,對截止頻率及反向恢復時間的要求不高,只要選擇最大整流電流和最大反向工作電壓兩項參數滿足電路要求的整流二極管即可。例如,可選擇1N系列和2CZ系列等。開關穩壓電源電路或脈沖整流電路中使用的整流二極管,應選用截止頻率高、反向恢復時問短的整流=極管。例如,可選擇RU系列和EU系列等。當買不到所選型號的整流二極管時,|J用其他型號的整流二極管代替,但前提是:最大整流電流和最大反向工作電壓必須高于被代替的整流=極管。
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