HEF4894BT

  利用圖3.23(c)所示的紅熒烯單晶,通過夾層黏合方法,可以制各不

同尺寸的場效應晶體管,其輸出特性和轉移特性見圖3.23。從電流輸出特性曲線,可以很好地分辨出電流的線性及飽和區域。該器件表現出常關態。隨著柵電壓的加載和增大,器件的飽和電流也增大。在漏電壓非常 低時(圖3,23嵌人圖),所有柵電壓下器件都表現出很好的線性關系,說明器件的界面為歐姆接觸。通過不同器件的轉移特性,可以看出所有器件都表現出類似的場效應遷移率0,3cm2/(V・sD和亞閾值電壓漂移m,5±0.s,nF・Wdecade器件的飽和電流表現出隨V/E比值增大而增大的特征。

    雖然利用稠環芳香化合物制各的單晶以及多晶薄膜可以得到相當可觀的場效應遷移率,但是有機單晶/多晶比較脆弱,大尺寸生長困難,單晶的加工也較困難。在絕緣層上制各場效應晶體管半導體層的傳統方法,如氣相沉積和溶液加工,都很難應用于有機材料的單晶生長。同時,傳統的加工方法也會破壞有機單晶的表面甚至導致晶體的碎裂。因此有機單晶/多晶場效應晶體管不適于大規模生產。另外稠環的芳香化合物對光敏感,在大氣氛圍內易于老化,這類化合物的真正應用潛能不大。