HCF40109BE

   通過紫外光電子能譜tUP9對AVⅡF/Alqs及Al/A‰界面電子結構進行分析發現,A礫的HOMo能級及真空能級的漂移是由ⅡF所致。在Al/Alq3和Al/LJ界面所測得的偶極分別為1.0eV、1.6eV,表明Lr內嵌于Alq3與Al之間,可以降低Al到Alq3的電子注人勢壘。根據UPS對界面偶極分析結果,解釋電子注人勢壘降低的原因如圖5.19(a)所示,由于Alq3與Al之間大小為I.0eV的電偶極的形成,使電子注入勢壘由不形成偶極時的1.5eV降低到0.5eV,當內嵌ⅡF后,如圖5,19(b)所示,界面偶極增大為1,6eV,因此電子的注人勢壘為硐,1eV,即電子注人是能量有利方向,不存在注人勢壘。

   水分子的存在,可降低鋁功函數

   研究發現,鋁的功函數會隨著少量hF而戲劇化地下降。一種解釋認為,在熱蒸發過程中,水分子的存在使ⅡF解離,并在界面形成LiˉAl合金。另一種解釋認為,由于水分子在Lf分子上的化學吸附,Al/LJ之間的界面形成大量偶極所致。但是最近的高分辨能量損失譜指出,在LJ/Al之間的界面不存在水分子,也沒有LiF在鋁界面的解離。LF在A蠔、ⅡF及Al共存下解離,是熱力學可行的反應通過XPS、理論計算等研究,一些學者認為LF在Alq3、Al及LJ共同存在情況下發生解離,再與A‰反應生成Alq3自由基陰離子。由于總反應的生成自由能近似為零,反應是熱力學可行的。