半導體材料

   半導體材料按組成可分為元素半導體和化合物半導體。 K4B1G1646E-HCH9其中半導體材料應用較為廣泛的包括元素半導體硅、鍺、Ⅲ-V族化合物半導體(砷化鎵、磷化銦、氮化鎵)以及Ⅱ-Ⅵ族化合物半導體(碳化硅)。其中硅、砷化鎵、磷化銦、碳化硅是電子元器件應用最多的半導體材料。

   碳化硅材料的測試

   碳化硅作為第三代半導體材料,具有禁帶寬度大、導熱率高、電子飽和速度高、擊穿電壓高、介電常數低等特點,是制造高頻、大功率、高溫、抗輻照電子元器件及電路的重要基礎材料。半導體碳化硅材料測試的主要參數包括晶型、晶向、導電類型、電阻率、遷移率、

載流子濃度、直徑與晶片厚度及厚度變化等。

   砷化鎵材料的測試

   砷化鎵材料是目前Ⅲ-V族化合物半導體材料中較為成熟的材料,電子遷移率高,是微電子和光電子技術最為重要的功能材料,主要品種有電阻單晶、半絕緣單晶及各種同質、異質與多組分外延材料等。半導體砷化鎵材料測試的主要參數有電阻率及電阻率均勻性、霍爾遷移率及遷移率均勻性測試、熱穩定性等。