半導體材料

   半導體材料的測試標準主要規定了半導體材料晶體結構、物理尺寸、 K4B1G164GG-BCH9電學性能的測試等,包括從測試參數定義、測試方法的介紹、測試前的制樣、測試數據的處理等。對于碳化硅單晶材料,其測試標準主要是s⒓0858―⒛⒆,即《碳化硅單晶材料電學參數測試方法》,該標準規定了碳化硅晶體材料的電學性能參數的測試方法是采用范德堡法,對電阻率和霍爾系數的測量做了詳細的介紹,給出了各個測試的計算公式以及誤差消除方法。此外,該標準還規定的制樣設備、電極燒結設各、幾何尺寸的測量、恒流源的精度、測試環境條件等。

    對于砷化鎵材料,其測試標準主要是Gm19%~%、Gm1927亠%等。GJB19%―%《砷化鎵單晶材料規范》規定了砷化鎵單晶棒、片的分類、要求、質量保證等要求。《砷化鎵單晶材料測試方法》規定了半絕緣砷化鎵材料電阻率、霍爾遷移率及其均勻性、熱穩定性和雜質均勻性的測試方法。本標準分別闡述了砷化鎵單晶材料霍爾遷移率測試、砷化鎵單晶材料電阻率和霍爾遷移率均勻性測試、砷化鎵單晶材料熱穩定性測試以及砷化鎵單晶材料雜質均勻性測試。電阻率和霍爾遷移率及其均勻性的測試主要是通過范德堡法來測量,此外還介紹了六觸點和八觸點法測電阻率和霍爾遷移率。而熱穩定性的測試主要規定了其測試方法以及其熱處理工藝、樣品制備等。對于雜質均勻性的測試主要是使用二次離子質譜法。