LA5112N電子電路按功能分為模擬電路和數字電路。根據電路的結構特點及其對輸人信號響應規則的不同,數字電路可分為組合邏輯電路和時序邏輯電路。數字電路中的電子器件,例如二極管、三極管(BJT、FET)處于開關狀態,時而導通,時而截止,構成電子開關。這些電子開關是組成邏輯門電路的基本器件。邏輯門電路又是數字電路的基本單元。如果將這些門電路集成在一片半導體芯片上就構成數字集成電路。

數字電路主流形式是數字集成電路。從20世紀60年代開始,數字集成器件以雙極型工藝制成了小規模邏輯器件,隨后發展到中規模;70年代末,微處理器的出現,使數字集成電路的性能發生了質的飛躍;從80年代中期開始,專用集成電路(ASIC①)制作技術已趨成熟,標志著數字集成電路發展到了新的階段。ASIC是將一個復雜的數字系統制作在一塊半導體芯片上,構成體積小、重量輕、功耗低、速度高、成本低且具有保密性的系統級芯片。

ASIC是將一個復雜的數字系統制作在一塊半導體芯片上 ,構成體積小 、 重量輕 、功耗低 、速度高 、成本低且具有保密性的系統級芯片。ASIC芯片的制作可以采用全定制或半定制的方法 。全定制適用于生產批量的成熟產品 ,由半導體生產廠家制造 。對于生產批量小或研究試制階段 的產品 ,可以采用半定制方法 。它是用戶通過軟件編程 ,將自己設計的數字系統制作在廠家生產的可編程邏輯器件(PLD② )半 成品芯片上 ,便得到所需的系統級芯片。 從集成度來說 ,數字集成電路可分為小規模 (ssI)、 中規模 (MSI)、 大規模 (LSI)、 超大規模 (VLSI)和甚大規模(ULSI)五類 。所謂集成度 ,是指每一芯片所包含的門的個數 。表 1.1.1所示為數字集成 電路的分類 。

數字電路的發展不僅在集成度方面,而且在半導體器件的材料、結構和生產工藝上均有所體現。數字集成器件所用的材料以硅材料為主,在高速電路申,也使用化合物半導體材料,例如砷化鎵等。

邏輯門是數字集成電路的主要單元電路,按照結構和工藝分為雙極型、MOs型和雙極一MOs型。晶體管一晶體管邏輯門電路(TTL①)問世較早,其工藝經過不斷改進,是至今仍在使用的基本邏輯器件之一。隨著金屬一氧化物一半導體(MOs)工藝特別是CMOs②工藝的發展,使得集成電路具有很高的電路集成度和工作速度,并且功耗很低,因此TTL的主導地位已被CMOs器件所取代。