TPIC6A595NE 器件電容和更低的門極電荷

發布時間:2020/3/11 19:32:56 訪問次數:2501

TPIC6A595NE單燈型LED前照燈簡化了功能，切換高/低光束使用。

型號BD95601MUV-LBE2STATUS

推薦品封裝 VQFN020V4040

包裝數量2500

最小獨立包裝數量 2500

包裝形態TAPING

ROHS YES

特性：

GradeIndustrialCH1集成FET/控制器控制器Buck/Boost/Buck Boost/InvertingBuck同步/非同步同步同步Vin1（最小值）[V]4.5Vin1（最大值）[V]25.0Vout1（最小值）[V]0.75Vout1（最大值）[V]2.0SW頻率（最大值）[MHz]0.5輕載模式YesYesGoodYesOperating Temperature（最小值）[°C]-10工作溫度（最大值）[°C]85

特點：

可調輕載和可選擇的連續模式

多功能保護電路

熱關機（TSD）

欠壓鎖定（UVLO）

過電流保護（OCP）

過電壓保護（OVP）

短路保護（SCP）

可調軟啟動

輸出功率良好

200kHz至500kHz開關頻率

這種情況下，使用約15W-30W的升壓（Boost）轉換器，代表性的電路構成如下所示。

輸出電壓由LED的串并聯數決定，大約為20-30V。升壓電路時，與降壓電路相比，開關損耗較大，難以實現高頻化。目前主要是200-400KHz。

器件電容和更低的門極電荷-Qg(低至220 nC)，從而降低在高頻下工作時的開關損耗。這些增強功能比基于Si的MOSFET提高能效，降低電磁干擾(EMI)，并可使用更少(或更小)的無源器件。極強固的SiC MOSFET比Si器件提供更高的浪涌額定值、更好的雪崩能力和更高的抗短路性能，從而提供更高的可靠性和更長的使用壽命，這對高要求的現代電源應用至關重要。較低的正向電壓提供無閾值的導通狀態特性，減少器件導通時產生的靜態損耗。

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