TPSD157K010R0085三個半橋式柵極驅動，電流容量為600mA（灌電流和拉電流），能夠驅動功率MOSFETs。由于集成的互鎖功能，不能同時打開同一半橋的高、低側開關。

器件內部的3.3V DC/DC降壓轉換器可為MCU和外部元件供電，而其內部的LDO線性穩壓器則可為柵極驅動器供電。

集成運算放大器可用于信號調節，采樣電阻上的信號反饋。

集成可編程閾值的比較器可實現過電流保護功能。

更寬的工作電壓范圍，6.7 V 至 45 V三相柵極驅動器600 mA sink/sourceIntegrated bootstrap diodesCross-conduction prevention32 位 ARM® Cortex®-M0 內核：Up to 48 MHz clock frequency4-kByte SRAM with HW parity32-kByte Flash memory with option bytes used for write/readout protectionAvailability FW bootloader3.3V DC/DC 降壓轉換器穩壓器，具有過流、短路和熱保護功能12 V LDO 線性穩壓器，熱保護功能16個通用 I/O 端口 （GPIO）5個通用定時器12 位模擬數字轉換器（ADC）（多達 9 個通道）I2C、USART和SPI 接口3個軌至軌運算放大器，信號調節用于過流保護的比較器，可編程閾值可置于待機模式，以減少功耗每個電源上的 UVLO （欠壓鎖定）保護：VM, VDD, VREG and VBOOTx通過 SWD 支持片上調試功能更寬的溫度范圍：-40°C 至 +125°C

低散發性低電阻電解液，通過優化內部規格大幅抑制了產品ESR的經時退化。

采用低散發性低電阻電解液,在高溫環境下容易散發，散發一定數量后產品特性顯著退化。“UCH”通過采用低散發性電解液，實現了長時間穩定的產品特性。此通過電解液的低電阻化，力爭降低ESR值。

優化內部結構,改變現有的設計思想優化內部結構，為強化產品特性做貢獻。通過“UCH”的產品陣容，能為應對整機的車載環境和省電、長壽命化做貢獻。尺寸體系為Φ6.3×7.7L尺寸，額定電壓范圍為35V，額定電容范圍為47μF、100μF。此外，尼吉康推動環保型的產品開發，“UCV”及“UCH”都已符合RoHS指令。

                 

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