集電極射極飽和電壓電流
發布時間:2020/3/27 19:07:42 訪問次數:1550
T494B684K050AS制造商:Infineon產品種類:IGBT 模塊RoHS:否商標:Infineon Technologies產品:IGBT Silicon Modules配置:Dual集電極—發射極最大電壓 VCEO:600 V集電極—射極飽和電壓:1.95 V在25 C的連續集電極電流:180 A柵極—射極漏泄電流:400 nA最大工作溫度:+ 125 C封裝 / 箱體:34MM柵極/發射極最大電壓:+/- 20 V最小工作溫度:- 40 C安裝風格:ScrewPd-功率耗散:730 W工廠包裝數量:10
制造商:Infineon產品種類:IGBT 模塊RoHS: 詳細信息產品:IGBT Silicon Modules配置:Dual集電極—發射極最大電壓 VCEO:1700 V集電極—射極飽和電壓:2.45 V在25 C的連續集電極電流:1070 A柵極—射極漏泄電流:400 nA最大工作溫度:+ 125 C封裝 / 箱體:62 mm封裝:Tray商標:Infineon Technologies柵極/發射極最大電壓:20 V最小工作溫度:- 40 C安裝風格:ScrewPd-功率耗散:3150 W工廠包裝數量:10
制造商:Infineon產品種類:MOSFETRoHS: 詳細信息商標:Infineon Technologies安裝風格:Through Hole封裝 / 箱體:TO-247-3晶體管極性:N-ChannelVds-漏源極擊穿電壓:650 VId-連續漏極電流:60 ARds On-漏源導通電阻:45 mOhmsVgs - 柵極-源極電壓:20 V最大工作溫度:+ 150 C封裝:Tube通道模式:Enhancement配置:Single下降時間:10 ns最小工作溫度:- 55 CPd-功率耗散:431 W上升時間:20 ns系列:CoolMOS CP工廠包裝數量:240商標名:CoolMOS典型關閉延遲時間:100 ns典型接通延遲時間:30 ns零件號別名:IPW60R045CPFKSA1 IPW60R045CPXK SP000067149
制造商:ON Semiconductor產品種類:開關控制器RoHS: 詳細信息商標:ON Semiconductor拓撲結構:Boost, Flyback, Forward輸出端數量:1 Output開關頻率:500 kHz占空比 - 最大:96 %輸出電壓:4.9 V to 5.1 V輸出電流:1000 mA最大工作溫度:+ 105 C安裝風格:SMD/SMT封裝 / 箱體:SOIC-14封裝:Reel下降時間:50 ns最小工作溫度:- 40 C工作電源電壓:30 V上升時間:50 ns系列:UC3843B工廠包裝數量:2500
制造商: Infineon
產品種類: IGBT 模塊
RoHS: 符合RoHS 詳細信息
產品: IGBT Silicon Modules
配置: Hex
集電極—發射極最大電壓 VCEO: 1200 V
在25 C的連續集電極電流: 55 A
最大工作溫度: + 125 C
封裝 / 箱體: Econo 2
封裝: Tray
商標: Infineon Technologies
柵極/發射極最大電壓: +/- 20 V
最小工作溫度: - 40 C
安裝風格: Screw
工廠包裝數量: 10
深圳市創芯聯盈電子有限公司http://cxly.51dzw.com/
(素材來源:eccn和ttic.如涉版權請聯系刪除。特別感謝)
T494B684K050AS制造商:Infineon產品種類:IGBT 模塊RoHS:否商標:Infineon Technologies產品:IGBT Silicon Modules配置:Dual集電極—發射極最大電壓 VCEO:600 V集電極—射極飽和電壓:1.95 V在25 C的連續集電極電流:180 A柵極—射極漏泄電流:400 nA最大工作溫度:+ 125 C封裝 / 箱體:34MM柵極/發射極最大電壓:+/- 20 V最小工作溫度:- 40 C安裝風格:ScrewPd-功率耗散:730 W工廠包裝數量:10
制造商:Infineon產品種類:IGBT 模塊RoHS: 詳細信息產品:IGBT Silicon Modules配置:Dual集電極—發射極最大電壓 VCEO:1700 V集電極—射極飽和電壓:2.45 V在25 C的連續集電極電流:1070 A柵極—射極漏泄電流:400 nA最大工作溫度:+ 125 C封裝 / 箱體:62 mm封裝:Tray商標:Infineon Technologies柵極/發射極最大電壓:20 V最小工作溫度:- 40 C安裝風格:ScrewPd-功率耗散:3150 W工廠包裝數量:10
制造商:Infineon產品種類:MOSFETRoHS: 詳細信息商標:Infineon Technologies安裝風格:Through Hole封裝 / 箱體:TO-247-3晶體管極性:N-ChannelVds-漏源極擊穿電壓:650 VId-連續漏極電流:60 ARds On-漏源導通電阻:45 mOhmsVgs - 柵極-源極電壓:20 V最大工作溫度:+ 150 C封裝:Tube通道模式:Enhancement配置:Single下降時間:10 ns最小工作溫度:- 55 CPd-功率耗散:431 W上升時間:20 ns系列:CoolMOS CP工廠包裝數量:240商標名:CoolMOS典型關閉延遲時間:100 ns典型接通延遲時間:30 ns零件號別名:IPW60R045CPFKSA1 IPW60R045CK SP000067149
制造商:ON Semiconductor產品種類:開關控制器RoHS: 詳細信息商標:ON Semiconductor拓撲結構:Boost, Flyback, Forward輸出端數量:1 Output開關頻率:500 kHz占空比 - 最大:96 %輸出電壓:4.9 V to 5.1 V輸出電流:1000 mA最大工作溫度:+ 105 C安裝風格:SMD/SMT封裝 / 箱體:SOIC-14封裝:Reel下降時間:50 ns最小工作溫度:- 40 C工作電源電壓:30 V上升時間:50 ns系列:UC3843B工廠包裝數量:2500
制造商: Infineon
產品種類: IGBT 模塊
RoHS: 符合RoHS 詳細信息
產品: IGBT Silicon Modules
配置: Hex
集電極—發射極最大電壓 VCEO: 1200 V
在25 C的連續集電極電流: 55 A
最大工作溫度: + 125 C
封裝 / 箱體: Econo 2
封裝: Tray
商標: Infineon Technologies
柵極/發射極最大電壓: +/- 20 V
最小工作溫度: - 40 C
安裝風格: Screw
工廠包裝數量: 10
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