UCC3581DTRG4制造商:Infineon產品種類:IGBT 模塊RoHS: 詳細信息商標:Infineon Technologies產品:IGBT Silicon Modules配置:Hex集電極—發射極最大電壓 VCEO:1200 V在25 C的連續集電極電流:25 A最大工作溫度:+ 125 C封裝 / 箱體:Econo 2封裝:Tray柵極/發射極最大電壓:+/- 20 V最小工作溫度:- 40 C安裝風格:Screw工廠包裝數量:10

連接器類型：接頭觸頭類型：公形引腳間距 - 配接：0.098"（2.50mm）針腳數：6排數：1加載的針腳數：全部樣式：板至電纜/導線護罩：帶遮蔽 - 4 墻安裝類型：通孔，直角端接：焊接緊固類型：鎖存器支座接觸長度 - 配接：0.177"（4.50mm）接觸長度 - 接線柱：0.114"（2.90mm）絕緣高度：0.315"（8.00mm）觸頭形狀：方形觸頭表面處理 - 配接：錫觸頭表面處理 - 柱：錫觸頭材料：黃銅絕緣材料：聚酰胺（PA），尼龍工作溫度：-35°C ~ 85°C材料可燃性等級：UL94 V-0絕緣顏色：天然額定電流：3A無鉛情況/RoHs：無鉛/符合RoHs

制造商:Infineon產品種類:IGBT 模塊RoHS:否商標:Infineon Technologies產品:IGBT Silicon Modules配置:Hex集電極—發射極最大電壓 VCEO:1700 V集電極—射極飽和電壓:2 V在25 C的連續集電極電流:340 A柵極—射極漏泄電流:400 nA最大工作溫度:+ 125 C封裝 / 箱體:EconoPACK+柵極/發射極最大電壓:+/- 20 V最小工作溫度:- 40 C安裝風格:ScrewPd-功率耗散:1.4 kW工廠包裝數量:4

制造商:Infineon產品種類:IGBT 模塊RoHS:否商標:Infineon Technologies產品:IGBT Silicon Modules配置:Dual集電極—發射極最大電壓 VCEO:1200 V集電極—射極飽和電壓:2.1 V在25 C的連續集電極電流:300 A柵極—射極漏泄電流:400 nA最大工作溫度:+ 125 C封裝 / 箱體:62 mm柵極/發射極最大電壓:+/- 20 V最小工作溫度:- 40 C安裝風格:ScrewPd-功率耗散:1.25 kW工廠包裝數量:10

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