產品種類:MOSFET

RoHS: 詳細信息

技術:Si

安裝風格:SMD/SMT

封裝 / 箱體:SO-8

通道數量:1 Channel

晶體管極性:N-Channel

Vds-漏源極擊穿電壓:200 V

Id-連續漏極電流:3.7 A

Rds On-漏源導通電阻:79 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓:20 V

Qg-柵極電荷:39 nC

最小工作溫度:- 55 C

最大工作溫度:+ 150 C

Pd-功率耗散:2.5 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

封裝:Cut Tape

封裝:Reel

高度:1.75 mm

長度:4.9 mm

晶體管類型:1 N-Channel

寬度:3.9 mm

商標:Infineon / IR

正向跨導 - 最小值:7.9 S

下降時間:14 ns

產品類型:MOSFET

上升時間:13 ns

工廠包裝數量:4000

子類別:MOSFETs

典型關閉延遲時間:27 ns

典型接通延遲時間:15 ns

零件號別名:SP001572102

單位重量:506.600 mg

制造商:Renesas Electronics

產品種類:運算放大器 - 運放

RoHS: 詳細信息

安裝風格:SMD/SMT

封裝 / 箱體:TSSOP-14

通道數量:4 Channel

電源電壓-最大:5.5 V

GBP-增益帶寬產品:2 MHz

SR - 轉換速率 :1 V/us

Vos - 輸入偏置電壓 :4 mV

電源電壓-最小:1.8 V

最小工作溫度:- 40 C

最大工作溫度:+ 125 C

Ib - 輸入偏流:0.00002 uA

工作電源電流:520 uA

關閉:No Shutdown

en - 輸入電壓噪聲密度:55 nV/sqrt Hz

系列:ISL28413

封裝:Tube

放大器類型:General Purpose Amplifier

高度:0.9 mm

長度:5 mm

產品:Operational Amplifiers

電源類型:Single

技術:CMOS

類型:General Purpose Amplifier

寬度:4.4 mm

商標:Renesas / Intersil

In—輸入噪聲電流密度:0.005 pA/sqrt Hz

濕度敏感性:Yes

工作電源電壓:3 V, 5 V

產品類型:Op Amps - Operational Amplifiers

PSRR - 電源抑制比:70 dB

工廠包裝數量:94

子類別:Amplifier ICs

單位重量:54 mg

產品種類:MOSFET

RoHS: 詳細信息

技術:Si

安裝風格:SMD/SMT

封裝 / 箱體:TO-252-3

通道數量:1 Channel

晶體管極性:N-Channel

Vds-漏源極擊穿電壓:100 V

Id-連續漏極電流:67 A

Rds On-漏源導通電阻:12.4 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓:20 V

最小工作溫度:- 55 C

最大工作溫度:+ 175 C

Pd-功率耗散:125 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商標名:OptiMOS

封裝:Cut Tape

封裝:MouseReel

封裝:Reel

高度:2.3 mm

長度:6.5 mm

系列:OptiMOS 2

晶體管類型:1 N-Channel

寬度:6.22 mm

商標:Infineon Technologies

下降時間:8 ns

濕度敏感性:Yes

產品類型:MOSFET

上升時間:21 ns

工廠包裝數量:2500

子類別:MOSFETs

典型關閉延遲時間:32 ns

典型接通延遲時間:17 ns

零件號別名:IPD12CN10NGBUMA1 SP000096476 IPD12CN10NGBUMA1

單位重量:4 g