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接收和發射線圈耐用結構和高磁導屏蔽

發布時間:2020/6/7 19:48:48 訪問次數:1305

ZXTP25020DFH差分與單端操作

快速上升和下降時間: 22/20 ps

低功耗: 264 mW(典型值)

可編程差分

輸出電壓擺幅: 700 - 1,300 mV

傳播延遲: 105 ps

單電源: +3.3V

16引腳

3x3mm

SMT封裝: 9mm2

應用

RF ATE應用

寬帶測試和測量

高達13 Gbps

串行數據傳輸速率

高達13 GHz

數字邏輯系統

阿爾特拉

業內進的FPGA、CPLD和結構化ASIC技術

全面內嵌的軟件開發工具

的IP內核

可定制嵌入式處理器

專家設計服務

Vishay Dale接收和發射線圈采用耐用結構和高磁導屏蔽,效率高于各種工業標準尺寸器件。

六款用于便攜式電子設備無線充電的新型接收線圈額定功率達10 W,200 kHz下電感量為10.8 μH至22 μH,電感公差為 5 %,200 kHz下典型Q值為29至65,+25 C條件下DCR為175 m至427 m( 5 %)。

三款Qi無線充電底座新型發射線圈,200 kHz下電感量為6.3 μH至24 μH,電感公差為±5%,+ 25°C條件下DCR為40 m至75 m(± 5 %),200 kHz下典型Q值為185至200。器件提供溫升額定電流6 A和7 A,飽和電流20 A和22 A兩種版本。

(素材來源:21IC和ttic和eechina.如涉版權請聯系刪除。特別感謝)

http://tyxdz.51dzw.com/

ZXTP25020DFH差分與單端操作

快速上升和下降時間: 22/20 ps

低功耗: 264 mW(典型值)

可編程差分

輸出電壓擺幅: 700 - 1,300 mV

傳播延遲: 105 ps

單電源: +3.3V

16引腳

3x3mm

SMT封裝: 9mm2

應用

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高達13 Gbps

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Vishay Dale接收和發射線圈采用耐用結構和高磁導屏蔽,效率高于各種工業標準尺寸器件。

六款用于便攜式電子設備無線充電的新型接收線圈額定功率達10 W,200 kHz下電感量為10.8 μH至22 μH,電感公差為 5 %,200 kHz下典型Q值為29至65,+25 C條件下DCR為175 m至427 m( 5 %)。

三款Qi無線充電底座新型發射線圈,200 kHz下電感量為6.3 μH至24 μH,電感公差為±5%,+ 25°C條件下DCR為40 m至75 m(± 5 %),200 kHz下典型Q值為185至200。器件提供溫升額定電流6 A和7 A,飽和電流20 A和22 A兩種版本。

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