AI處理器與存儲器之間實現低延遲
發布時間:2020/7/4 17:12:16 訪問次數:7189
VI-22K-IW作為先進的特色工藝半導體代工廠,格芯® (GF®) 近日宣布其先進的FinFET解決方案12LP+已完成技術認證,準備投入生產。
12LP+是格芯推出的差異化解決方案,針對人工智能(AI)訓練和推理應用進行了優化。12LP+采用已驗證的平臺,依托穩健的生產生態系統,為芯片設計師提供高效的開發體驗,助力產品快速上市。
12LP+引入了多項新特性,包括更新后的標準單元庫、用于2.5D封裝的中介層、低功耗0.5V Vmin SRAM位單元等。這些特性有助于在AI處理器與存儲器之間實現低延遲、低功耗數據傳輸,在性能、功率和面積方面的綜合表現也非常出色,從而滿足快速增長的AI市場的特定需求。
人工智能正成為我們一生中最具顛覆性的技術。日益明晰的是,AI系統的能效,也就是每瓦特功率可進行的運算次數,將成為公司投資數據中心或邊緣AI應用時的關鍵考慮因素。而格芯新的12LP+解決方案就直面這一挑戰,它的設計、優化均以AI為出發點。
12LP+基于格芯成熟的14nm/ 12LP平臺 ,利用此平臺格芯已經交付了100多萬片晶圓。格芯的12LP解決方案已被多家公司用于AI加速器應用,包括 燧原科技(Enflame) 、 Tenstorrent 等公司。通過與AI客戶緊密合作并借鑒學習,格芯開發出12LP+,為AI領域的設計師提供更多差異化和更高價值,同時最大限度地降低他們的開發和生產成本。
12LP+的性能提升包括SoC級邏輯性能相比12LP提升20%,邏輯區面積微縮10%。12LP+的進步得益于它的下一代標準單元庫、面積優化的高性能組件、單鰭片單元、新的低電壓SRAM位單元,以及改良的模擬版圖設計規則。
12LP+是專業應用解決方案,結合格芯的AI設計參考包和格芯的聯合開發、封裝及晶圓廠后端交鑰匙服務,共同構成完整體驗,設計出針對AI應用優化的低功耗、高性價比電路。除了12LP的現有IP組合外,格芯還將擴展12LP+的IP驗證,包括面向主機處理器的PCIe 3/4/5和USB 2/3、面向外部存儲器的HBM2/2e、DDR/LPDDR4/4x和GDDR6,以及有助設計師和客戶實現小芯片架構的芯片到芯片互連功能。
格芯12LP+解決方案已經通過認證,即將在紐約州馬耳他的格芯8號晶圓廠投入生產。2020年下半年將安排多次12LP+投片。格芯最近宣布8號晶圓廠將貫徹美國國際武器貿易條例(ITAR)標準及出口管制條例(EAR)。這些全新的管制保證將于今年晚些時候生效,以保護8號晶圓廠生產制造的國防相關應用、設備或組件的保密性和完整性。
靜電放電路徑1:在后級電路引入靜電等高能量的沖擊,電荷釋放路徑1 是通過跨接初次級之間安規電容,將電荷直接通過初級電解電容釋放。放電路徑及設計走線。
靜電放電路徑2:在后級電路引入靜電等高能量的沖擊,電荷釋放路徑2 是通過高頻變壓器初次級耦合路徑傳輸。放電路徑及設計走線。
按企標主板整機ESD測試方案對主板進行ESD測試并對數據進行統計發現在主板ESD測試靜電水平達到15000 V,會出現一定概率的放電現象,放電點經過確認是開關電源次級輸出給開關芯片供電電路片狀電阻R100對反饋電路片狀電容C79進行瞬間放電。
(素材來源:21IC和ttic和eechina.如涉版權請聯系刪除。特別感謝)
深圳市唯有度科技有限公司http://wydkj.51dzw.com/
VI-22K-IW作為先進的特色工藝半導體代工廠,格芯® (GF®) 近日宣布其先進的FinFET解決方案12LP+已完成技術認證,準備投入生產。
12LP+是格芯推出的差異化解決方案,針對人工智能(AI)訓練和推理應用進行了優化。12LP+采用已驗證的平臺,依托穩健的生產生態系統,為芯片設計師提供高效的開發體驗,助力產品快速上市。
12LP+引入了多項新特性,包括更新后的標準單元庫、用于2.5D封裝的中介層、低功耗0.5V Vmin SRAM位單元等。這些特性有助于在AI處理器與存儲器之間實現低延遲、低功耗數據傳輸,在性能、功率和面積方面的綜合表現也非常出色,從而滿足快速增長的AI市場的特定需求。
人工智能正成為我們一生中最具顛覆性的技術。日益明晰的是,AI系統的能效,也就是每瓦特功率可進行的運算次數,將成為公司投資數據中心或邊緣AI應用時的關鍵考慮因素。而格芯新的12LP+解決方案就直面這一挑戰,它的設計、優化均以AI為出發點。
12LP+基于格芯成熟的14nm/ 12LP平臺 ,利用此平臺格芯已經交付了100多萬片晶圓。格芯的12LP解決方案已被多家公司用于AI加速器應用,包括 燧原科技(Enflame) 、 Tenstorrent 等公司。通過與AI客戶緊密合作并借鑒學習,格芯開發出12LP+,為AI領域的設計師提供更多差異化和更高價值,同時最大限度地降低他們的開發和生產成本。
12LP+的性能提升包括SoC級邏輯性能相比12LP提升20%,邏輯區面積微縮10%。12LP+的進步得益于它的下一代標準單元庫、面積優化的高性能組件、單鰭片單元、新的低電壓SRAM位單元,以及改良的模擬版圖設計規則。
12LP+是專業應用解決方案,結合格芯的AI設計參考包和格芯的聯合開發、封裝及晶圓廠后端交鑰匙服務,共同構成完整體驗,設計出針對AI應用優化的低功耗、高性價比電路。除了12LP的現有IP組合外,格芯還將擴展12LP+的IP驗證,包括面向主機處理器的PCIe 3/4/5和USB 2/3、面向外部存儲器的HBM2/2e、DDR/LPDDR4/4x和GDDR6,以及有助設計師和客戶實現小芯片架構的芯片到芯片互連功能。
格芯12LP+解決方案已經通過認證,即將在紐約州馬耳他的格芯8號晶圓廠投入生產。2020年下半年將安排多次12LP+投片。格芯最近宣布8號晶圓廠將貫徹美國國際武器貿易條例(ITAR)標準及出口管制條例(EAR)。這些全新的管制保證將于今年晚些時候生效,以保護8號晶圓廠生產制造的國防相關應用、設備或組件的保密性和完整性。
靜電放電路徑1:在后級電路引入靜電等高能量的沖擊,電荷釋放路徑1 是通過跨接初次級之間安規電容,將電荷直接通過初級電解電容釋放。放電路徑及設計走線。
靜電放電路徑2:在后級電路引入靜電等高能量的沖擊,電荷釋放路徑2 是通過高頻變壓器初次級耦合路徑傳輸。放電路徑及設計走線。
按企標主板整機ESD測試方案對主板進行ESD測試并對數據進行統計發現在主板ESD測試靜電水平達到15000 V,會出現一定概率的放電現象,放電點經過確認是開關電源次級輸出給開關芯片供電電路片狀電阻R100對反饋電路片狀電容C79進行瞬間放電。
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