RISC-V 技術并利用多樣化 RISC-V 生態系統。為滿足這一需求，Microchip Technology Inc.（美國微芯科技公司）宣布推出業界首款基于 RISC-V 的SoC FPGA開發工具包。這款名為Icicle 的開發工具包專為業界領先的低功耗、低成本、基于 RISC-V 的PolarFire® SoC FPGA打造，匯集了眾多的Mi-V 合作伙伴，助力加速不同行業的客戶設計部署和商業應用。

設計人員現在可以開始開發和評估實時操作系統（RTOS）、調試器、編譯器、模塊化系統（SOM）和安全解決方案等廣泛的 RISC-V 生態系統產品，從而輕松部署基于 RISC-V 的可編程 SOC FPGA。Mi-V RISC-V 合作伙伴生態系統是 Microchip 和眾多第三方為全面支持 RISC-V 設計而開發的一個不斷擴展、全面的工具套件和設計資源。

數據列表

LTC4215/-2;

標準包裝

100

包裝

管件

零件狀態

有源

類別

集成電路（IC）

產品族

PMIC - 熱插拔控制器

類型 熱交換控制器，監控器

通道數 1

內部開關 無

應用 通用

特性 I2C，OVP，UVLO

可編程特性 自動重試，限流，故障超時，閉鎖故障

電壓 - 供電 2.9V ~ 15V

電流 - 輸出（最大值） -

工作溫度 0°C ~ 70°C

電流 - 供電 3mA

安裝類型 表面貼裝型

封裝/外殼 16-SSOP（0.154"，3.90mm 寬）

供應商器件封裝 16-SSOP

碳化硅（SiC）產品組合，推出650V器件。其全新發布的CoolSiC  MOSFET滿足了包括服務器、電信和工業SMPS、太陽能系統、能源存儲和電池化成、不間斷電源（UPS）、電機控制和驅動以及電動汽車充電在內的大量應用與日俱增的能效、功率密度和可靠性的需求。

650 V CoolSiC  MOSFET器件的額定值在27 mΩ-107 mΩ之間，既可采用典型的TO-247 3引腳封裝，也支持開關損耗更低的TO-247 4引腳封裝。與過去發布的所有CoolSiC  MOSFET產品相比，全新650V系列基于英飛凌先進的溝槽半導體技術。通過最大限度地發揮碳化硅強大的物理特性，確保了器件具有出色的可靠性、出類拔萃的開關損耗和導通損耗。它們還具備最高的跨導水平（增益）、4V的閾值電壓（Vth）和短路穩健性。總而言之，溝槽技術可以在毫不折衷的情況下，在應用中實現最低的損耗，并在運行中實現最佳可靠性。

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