臺積電2nm工藝取得重大突破，研發進度超前，業界看好其2023年下半年風險試產良率就可以達到90%。供應鏈透露，有別于3nm和5nm采用鰭式場效應晶體管（FinFET），臺積電的2nm工藝改用全新的多橋通道場效電晶體（MBCFET）架構。

臺積電去年成立了2nm專案研發團隊，尋找可行路徑進行開發。考量成本、設備相容、技術成熟及效能表現等多項條件，2nm采以環繞閘極（GAA）制程為基礎的MBCFET架構，解決FinFET因制程微縮產生電流控制漏電的物理極限問題。

極紫外光（EUV）微顯影技術的提升，使臺積電研發多年的納米片（Nano Sheet）堆疊關鍵技術更為成熟，良率提升進度較預期順利。臺積電此前透露2nm研發生產將在新竹寶山，規劃P1到P4四個超大型晶圓廠，占地90多公頃。

JQYX2000×1.9風吸式糧食扦樣器本機是一種新型多功能扦樣器，對立筒倉、房式倉、地下倉的散存谷物(小麥、玉米、

高粱、稻谷等)可在0-20米范圍內隨意扦樣、埋設測量電纜和藥劑投放。所扦樣品能較好

地保持原糧的原始質量狀況。

產品參數：  

 功率:1000w 200V 50Hz

重量:主機6.5Kg

吸管0.35kg(鋁) 0.76kg(鋼)

外形:主機326×540×206mm

吸管22 x 1000mm/根

得益于FinFET 的發明，2011年英特爾推出了商業化的22nm FinFET。此后，基于FinFET業界將半導體

臺積電同樣采用MBCFET架構。臺積電總裁魏哲家日前于玉山科技協會晚宴專講時透露，臺積電制程每前進一個世代，客戶的產品速度效能提升30%- 40%，功耗可以降低20%-30%。

在GAA技術的采用上，三星更顯激進。據悉三星3nm就會導入GAA，使其3nm工藝相比7nm性能提升35%，功耗降低50%。但臺積電要到2nm才會導入GAA技術。

GAA可以帶來性能和功耗的降低，但成本也非常高。市場研究機構International Business Strategies (IBS)給出的數據顯示，28nm之后芯片的成本迅速上升。28nm工藝的成本為0.629億美元， 5nm將暴增至 4.76 億美元。三星稱其3nm GAA 的成本可能會超過5億美元。

新的晶體管也可能帶來革命性的改變，一種叫做Bizen的晶體管架構，可能從另一方向打破CMOS極限。

(素材：eccn.如涉版權請聯系刪除）