增加分辨率可進一步提高過采樣性能。兩種采樣技術，利用AD7380系列的分辨率提升特性可以直接添加額外的2位分辨率。AD7380系列是高速SAR ADC，可減輕微控制器上SPI的負擔，使其可進行額外的數據處理。AD7380系列器件高度可靠，可提高ADC轉換精度。

10log(fS/(2 × BW))為過程增益。

fS/(2 × BW)為采樣比或奈奎斯特比率。

包括了處理增益，以考慮在2 × BW之外采樣的額外過采樣過程。將采樣頻率提高k倍(其中k是參與平均的樣本數或過采樣率)，會導致SNR提高。

過采樣 = k × (fS/(2 × BW))

理想情況下，k的值加倍會使SNR提高3 dB。

說明了在不同的過采樣率下，典型的正常和滾動平均過采樣對SNR的影響。隨著過采樣率的增加，SNR也會提高。

AD7380正常平均過采樣的典型SNR性能，AD7380滾動平均過采樣的典型SNR性能

制造商:ON Semiconductor產品種類:監控電路RoHS:是類型:Voltage Detectors安裝風格:SMD/SMT封裝 / 箱體:SC-82AB-4閾值電壓:3.7 V被監測輸入數:1 Input人工復位:No Manual Reset看門狗計時器:No Watchdog電源電壓-最大:10 V最小工作溫度:- 40 C最大工作溫度:+ 85 C準確性:2 %系列:NCP305封裝:Cut Tape封裝:MouseReel封裝:Reel商標:ON Semiconductor過電壓閾值:3.774 V欠電壓閾值:3.626 V工作電源電流:1 uA產品類型:Supervisory Circuits工廠包裝數量:3000子類別:PMIC - Power Management ICs電源電壓-最小:0.8 V

3.3mm x 3.3mm 封裝 40V 雙 MOSFET。DMT47M2LDVQ 可以取代兩個分立式 MOSFET，以減少眾多汽車產品應用中電路板所占用的空間，包括電動座椅控制以及先進駕駛輔助系統 (ADAS) 等。

DMT47M2LDVQ 整合了兩個 n 信道增強模式 MOSFET，并就此配置實現了業界最低的 RDS(ON) - 在 10V 的 VGS 和 30.2A 的 ID 時僅為 10.9mΩ。在如此低的導通電阻下，無線充電或馬達控制等產品應用中的傳導損耗可降至最低。在 10V 的 VGS 和 20A 的 ID 時，典型的柵極電荷為 14.0nC，將交換損耗降至最低。

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DMT47M2LDVQ 符合 AEC-Q100 Grade 1 等級規范，能支持 PPAP 文件，且以 IATF 16949 標準認證的生產設施制造。