WE-CMBNC是經VDE認證的共模扼流圈系列，采用高磁導率納米晶體磁芯材料。盡管尺寸較小，但提供出色的寬帶衰減性能，較高的額定電流和較低的直流電阻值。WE-CMB 系列的共模扼流圈具有扁平外型和高額定電壓。

WE-CMBNC優勢

高磁導率納米晶體磁芯材料

高IR和低RDC ，小尺寸

寬頻帶抑制

在高溫條件下，具有穩定的電感值

通過塑料外殼和專利繞組墊片改進絕緣性能

保護性涂層，堅固耐用

同類別最低 AC 和 DC 損耗  | 溫度穩定性表現優秀

降壓式：24 V 至 12 V（2 A, 500 kHz, 2.2 μH）

500 kHz 時的 AC 和 DC 損耗

相比類似尺寸零件，AC 和 DC 損耗減少可達30%。

使用在線元件模擬軟件 REDEXPERT，確定您應用時 AC 和 DC 的實際損耗。

WE-MAPI 旨在滿足最新和未來 IC 的各種要求。創新的引線框架焊盤設計可直接連接導線，顯著提升磁芯利用率以及電流處理能力。

WE-MAPI 系列集成：

當前最高評分

AC 損耗同類最低

超乎想象的低 DCR

優秀溫度穩定性

創新設計

最低 EMI 輻射

使用 REDEXPERT，可以輕松、快速地確定直流偏置下的MLCC值，得出的值更接近實際，參見圖 6。結果：必須考慮到輸入電壓為 24 V 時電容會減少 20％；因此有效電容只 有 23 μF ， 但 已 足 夠 。 此 外 ， 將 一 個 68 μF/35 VWCAP-PSLC 鋁聚合物電容器(+串聯一個 0.22 Ω SMD電阻,然后)與陶瓷電容器并聯使用。

WE-MAPI: 全球最小的合金電感

創新細節設計

無焊盤設計，實現最佳共面性

無焊錫及點焊焊接點，實現最高可靠性

最大核心利用率最大磁芯利用率，實現最高電流處理能力

減少寄生電容，實現最低交流損耗

自屏蔽結構實現最優 EMI 性能

(素材來源：21ic.如涉版權請聯系刪除。特別感謝）