SJMOSFET在市場上占據主導地位，仍是上述領域的首選技術。硅技術已非常成熟和可靠，而且還將進一步發展。類器件上積攢了多年經驗。不同的技術對應不同的細分市場，具體取決于系統的復雜程度。

氮化鎵正與用于開關電源的SJMOSFET、不間斷電源的高速絕緣柵雙極晶體管(IGBT)、電信領域的中壓MOSFET以及用于服務器負載點穩壓器和同步整流的低壓MOSFET競爭。由于這些市場對價格極其敏感，氮化鎵預計將首先在高端領域推出。

氮化鎵HEMT結構通常具有多層場板，以最大限度減少柵極與漏極接觸處的電壓峰值應力和動態RDS(on)。二氧化硅和氮化硅等薄膜用作電介質層，這些薄膜必須足夠優質，以求最大限度減少薄膜污染，減少高溫下的熱降解，改善薄膜化學計量比。必須控制薄膜應力以避免晶圓彎曲，這可以通過調整射頻功率和其他工藝參數來實現。

氮化硅的表面鈍化已被證明可以產生更高的載流子濃度，以便改善二維電子氣的電導率，提高器件性能。三氧化二鋁等替代材料通過原子層沉積來提高器件性能。

制造商: ISSI

產品種類: eMMC

RoHS: 詳細信息

系列: IS21ES16G

存儲容量: 16 GB

配置: MLC

連續讀取: 255 MB/s

連續寫入: 24.6 MB/s

工作電源電壓: 3.3 V

最小工作溫度: - 40 C

最大工作溫度: + 85 C

尺寸: 14 mm x 18 mm x 1.4 mm

封裝: Cut Tape

封裝: MouseReel

封裝: Reel

封裝 / 箱體: FBGA-100

產品: eMMC Flash Drive

商標: ISSI

接口類型: eMMC 5.0

安裝風格: SMD/SMT

濕度敏感性: Yes

產品類型: eMMC

工廠包裝數量: 1000

子類別: Memory & Data Storage

華邦電、旺宏、美光等IDM廠近一年來沒有新增產能，只是通過制程微縮來增加產量。而從代工端來看，主要由中芯國際、華虹宏力、武漢新芯等提供產能。但近期可提供NOR Flash代工的50nm/60nm產能已供不應求，2020年第四季度之前無法增加投片，使得全年NOR Flash供給都處于吃緊狀態。

由于中國大陸晶圓代工廠有可能遭受更嚴苛的貿易限制，使得中國臺灣地區廠商有機會迎來NOR Flash轉單潮，包括臺積電、聯電、世界先進。這種局面一旦真的出現，NOR Flash產能可能更加吃緊，這在客觀上會進一步提升華邦電和旺宏的市場地位。

全球8英寸晶圓代工月產能本就非常緊張，已長期處于供不應求的狀態，在這種情況下，若NOR Flash大范圍轉單真的出現，無疑會使全球本已十分緊張的8英寸晶圓代工產能雪上加霜，估計到時候價格又要上漲了。

加速提升OLED手機顯示面板的滲透率。預計2021年會有一半以上的智能手機采用OLED顯示面板。整體而言，OLED面板需求會持續爆發，必將帶動NOR Flash需求加速增長。