第二代SiC功率MosFET，具有單位面積極低的導通電阻（RDSon）和優良的開關性能，開關損耗在結溫范圍內幾乎沒有變化。

ST提供廣泛的第二代S MOSFET：額定擊穿電壓值從SCTxN65G2的650V到SCTxN120G2的1200V，并延伸到1700V。

ST的實驗室測試比較了第二代650V SCTH35N65G2V-7 SiC MosFET與硅IGBT的開關損耗。SiC MosFET具有更低的開關損耗，即使在高溫下也是如此。

這使得轉換器或逆變器能夠在非常高的開關頻率下工作，從而減小其無源元件的尺寸。當溫度超過175°C時，溫度變化幅度很小，電阻也隨著溫度的升高而變化很小。

SiC MosFET特性

工作結溫高達200°C

極低的開關損耗

無體二極管的恢復損耗

高溫功率損耗較少

易于驅動

SiC MosFET應用

牽引電動機

充電站

太陽能逆變器

工廠自動化

電動機驅動

數據中心電源

工業電池充電器

不間斷電源

ST第二代SiC功率MosFET標準化通態電阻與溫度的關系

ST提供了完整的參考設計解決方案，三相交流-直流和直流-交流應用的基礎上，優化了功率轉換的數字平臺。基于ST第二代SiC MOSFET支持100kHz開關，有助于減少相關無源元件的尺寸和重量，實現99%的轉換效率。

金屬箔貼片 (MFC) 電阻器。MFC系列使用陶瓷上貼金屬箔技術，該技術結合了陶瓷基板的散熱特性和金屬合金體電阻元件的耐浪涌特性。由此提供了比厚膜或金體電阻更低的自熱水平，比厚膜提供了更好的耐浪涌特性，這使得該電阻較好的適合于汽車、工業和醫療應用。