high-k絕緣層全新ComPacT NSX塑殼斷路器

發布時間:2020/12/3 18:29:29 訪問次數:1127

全新ComPacT NSX系列塑殼斷路器，在模塊化設計和產品系列拓展上再次升級，擁有全新外觀，可滿足更多數字化功能的快速擴展和更多行業的專業應用，配合新一代預智低壓成套設備，共同塑造全新的數字化體驗。

中低壓一體化讓“數”盡其用反哺能源可持續發展,在“大數據”時代下，雖然大部分能源電力企業已經積累了大量的專業數據，但系統間區隔往往無法突破，所產生的信息孤島效應導致數據雖得到分析，但始終不充分、不準確、不透明，無法應用數據價值推動精益化的運營決策，從而影響整體能效水平的提升。

制造商:Diodes Incorporated 產品種類:ESD 抑制器/TVS 二極管發貨限制： Mouser目前不銷售該產品。 RoHS: 詳細信息產品類型:TVS Diodes 極性:Unidirectional 工作電壓:5 V 端接類型:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOD-323 擊穿電壓:6.2 V 鉗位電壓:14.5 V 峰值脈沖功耗 (Pppm):350 W 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C 系列:SD05 封裝:Cut Tape 封裝:MouseReel 封裝:Reel 商標:Diodes Incorporated 工廠包裝數量:3000 子類別:TVS Diodes / ESD Suppression Diodes 單位重量:15 g

Omdia 研究報告，28nm 將在未來 5 年成為半導體應用的長節點制程工藝。

在摩爾定律的指引下，集成電路的線寬不斷縮小，基本上是按每兩年縮小至原尺寸的 70% 的步伐前進。如 2007 年達到 45nm，2009 年達到 32nm，2011 年達到 22nm。28nm 工藝處于 32nm 和 22nm 之間，業界在更早的 45nm（HKMG）工藝，在 32nm 處引入了第二代 high-k 絕緣層 / 金屬柵工藝，這些為 28nm 的逐步成熟打下了基礎。

2013 年是 28nm 制程的普及年，2015~2016 年間，28nm 工藝開始大規模用于手機應用處理器和基帶。晶圓上平面設計的極限在 28nm 可以達到最優化成本。